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聚焦820GHz频段的紧凑型2x2天线阵列设计，采用0.25µm SiGe HBT技术实现单片发射器。通过芯片背面照射超半球形硅透镜，无需外部相位/幅度调节即可生成高方向性波束，输出功率达1.9µW，带宽覆盖800-840GHz。

2026-03-08 3 FOR