F-P效应

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一、 尺寸：长63mmX宽48mmX高16mm 二、 主要芯片：FR1205(NMOS) 三、 输入控制电压：直流5V 输出控制电压12V~55V，电流为44A 四、串口下载程序 五、 特点： 1、输入控制电源与被控电源隔离 2、具有四路输...

2013-10-09 35 F-P效应

采用高精度霍尔效应模型，深入分析线圈匝数对磁场感应的影响，结合电源设计与电路仿真实现精准验证，适用于电磁场建模与传感器开发场景。

2026-01-30 1 F-P效应