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教程资料 FPGA与ARM EPI通信,控制16路步进电机和12路DC马达 VHDL编写的

FPGA与ARM EPI通信,控制16路步进电机和12路DC马达 VHDL编写的,,,,,
https://www.eeworm.com/dl/fpga/doc/32072.html
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可编程逻辑 FPGA与ARM EPI通信,控制16路步进电机和12路DC马达 VHDL编写的

FPGA与ARM EPI通信,控制16路步进电机和12路DC马达 VHDL编写的,,,,,
https://www.eeworm.com/dl/kbcluoji/38741.html
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网络 一个EPI路由协议的实现

一个EPI路由协议的实现,基于TORA算法,在NS2仿真平台编译通过,主要用于稀疏环境的MANET路由,仿真显示性能优于AODV,DSDV等原有AD HOC路由,思想在于引入基于节点遇见概率下的泛洪路由,适合开放MANET路由协议者参考。
https://www.eeworm.com/dl/635/227689.html
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软件 EPI-m102固件升级包

易派科技Electronics Pioneer v285 EPI-m102固件升级包
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学术论文 磁共振用超导磁体的磁场均匀性研究

随着生物工程及医学影像学的发展,磁共振成像在医学诊断学方面发挥着越来越重要的角色。磁场的均匀性是大型医疗设备——核磁共振(MRI)成像的理论基础,是评价该设备的一个重要的技术参数,磁场的均匀性分析也是电磁场理论分析的一个重要方向。良好、稳定的磁场均匀性对核磁共振图像的信噪比(SNR)的提高有重要的意义,同时也 ...
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模拟电子 COOLMOS_原理结构

看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下: 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,E ...
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模拟电子 CoolMos的原理、结构及制造

对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不 ...
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嵌入式综合 SmartARM9B92工控教学开发平台简介

SmartARM9B92 是由广州致远电子有限公司完全按照工业级标准(EMC/EMI)设计开发的一款通用工控/教学开发平台,其核心控制器采用了TI 公司最新推出的LM3S9000 系列芯片。LM3S9000 在通用处理性能方面取得了最新突破,实现了连接性、存储器配置与高级运动控制的完美结合。SmartARM9B92 开发平台提供了丰富的接口:外部总线接 ...
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