透过MOSFET电压电流最佳化控制传导性及辐射性EMI
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
学习处理电源EMI的几点体会【赵修科】...
电子、电气产品的设计,必须保证在一定的电磁环境中能正常工作,既满足标准规定的抗干扰极限值要求,在受到一定的电磁干扰时,无性能降级或故障;又要满足标准规定的电磁辐射极限值的要求,对电磁环境不构成污染。所以,产品设计之初,就要从分析产品预期的电磁环境、干扰源、耦合途径和敏感部件入手,采用相应的技术措施,...
交直流转换器 AT-VA2-D-A3-DD-ADL 1.产品说明 AT系列转换器/分配器主要设计使用于一般讯号迴路中之转换与隔离;如 4~20mA、0~10V、热电偶(Type K, J, E, T)、热电阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、电位计(三線式)、电阻(二線式)及交流电压/电流等讯号,机...
EMC电磁兼容...