Cyclone器件
共 90 篇文章
Cyclone器件 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 90 篇文章，持续更新中。
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo
非理想运放构建的低通滤波电路优化设计
<span id="LbZY">分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响，提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法，实验结果表明了该方法的有效性。<br />
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ST微控制器振荡器电路设计指南
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本应用指南介绍了Pierce振荡器的基本知识，并提供一些指导作法来帮助用户如何规划一个好的振荡器设计，如何确定不同的外部器件的具体参数以及如何为振荡器设计一个良好的印刷电路板。</p>
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很全的电子元器件基础知识讲义
常用电子元器件的基本知识归纳！适合初学者使用借鉴！
模拟电子基础器件动画模拟视频教程1
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
飞行模拟器可扩展数字量输出系统的设计与实现
<span id="LbZY">控制某型飞机模拟座舱中的Led、继电器、小电流元件，满足易于扩充规模的工程需求，采用充分利用元器件特性的方法，使用一种可扩展数字量输出系统建立开出通道，在电路层预留扩充接口，实现座舱灯光信号、电路状态切换、外部设备数控的功能。<br />
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压控振荡电路的设计
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能实现VCO 功能的电路很多，常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器，积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点，下面做简要分析，并选择最合适的方案。</p>
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CMOS器件抗静电措施的研究
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<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CM
ADC噪声系数_一个经常被误解的参数
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噪声系数(NF)是RF系统设计师常用的一个参数，它用于表征RF放大器、混频器等器件的噪声，并且被广泛用作无线电接收机设计的一个工具。许多优秀的通信和接收机设计教材都对噪声系数进行了详细的说明(例如参考文献1)，本文重点讨论该参数在数据转换器中的应用。
ESD电热模拟分析
静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br />
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波形及序列信号发生器设计
设计由555、移位寄存器、D/A转换器、PLD等器件构成的多路序列信号输出和阶梯波输出的发生器电路，重点学习555、D/A转换器及可编程逻辑器件的原理及应用方法。用Proteus软件仿真；实验测试技术指标及功能、绘制信号波形。
BJT与MOSFET的开关应用
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本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。</p>
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前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试
MEMS传感器的静止带宽测试
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对于采用MEMS加速度计和陀螺仪的工业系统而言，优化带宽可能是关键考虑因素。这代表着精度(噪声)与响应时间之间的一种经典权衡。虽然多数MEMS传感器制造商都会给出典型带宽指标，往往还需要验证传感器或整个系统的实际带宽。在确定加速度计和陀螺仪的带宽特性时，一般需要使用振动台或其他机械激励源。要精确确定特性，需要全面了解应用于受测器件(DUT)的运动。在此过程中需要管理多种潜在误差源。在
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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电子元器件的封装尺寸
元器件封装
基于FPGA和虚拟仪器的DDS信号发生器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">将虚拟仪器技术同FPGA技术结合，设计了一个频率可控的DDS任意波形信号发生器。在阐述直接数字频率合成技术的工作原理、电路构成的基础上，分别介绍了上位机
ADV7511 HDCP 1.1使能_禁用选项
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ADV7511 HDMI®发送器支持HDCP 1.1特性；然而，业界对如何正确实现HDCP 1.1的某些特性，特别是增强链路验证(Pj校验)，存在一些误解。由于对实现方法存在不同的解释，ADI公司给ADV7511增加了一个HDCP 1.1特性禁用选项。版本ID(主寄存器映射的寄存器0x00) 为0x14的ADV7511器件提供此选项。在以前版本的ADV7511中，如果接收器在
揭开∑—△ADC的神秘面纱
越柬越多的应用 例如过程控制、称重等 都需要高分辨率、高集成度和低价格的ADC。 新型Σ ．△转换技术恰好可以满足这些要求 然而， 很多设计者对于这种转换技术并不 分了解， 因而更愿意选用传统的逐次比较ADC Σ．A转换器中的模拟部分非常简单(类似j 个Ibit ADC)， 而数字部分要复杂得多， 按照功能町划分为数字滤波和抽取单元 由于更接近r 个数字器件，Σ
基于USB的高清彩色CCD图像采集系统
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">提出一种基于USB的彩色CCD高清图像采集系统设计方案。图像数据的来源采用的是SONY公司的 ICX205AK芯片，结合USB2.0接口，复杂可编程逻辑器件CPLD设计了一个高速的彩色CCD图像采集系统。文中详细阐述了
SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br />
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