CoolMOS CE技术资料

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Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS&tr...

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对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普...

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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由...

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帮助开发者快速上手Windows CE平台，掌握ARM架构下的C/C++开发技巧，提升嵌入式系统开发效率。适用于需要在移动和工业设备中部署应用的开发人员。...

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