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查看全部 500 份 →功率MOSFET与高压集成电路
本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。
2023-05-14
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