搜索：CVD
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结果 5
https://www.eeworm.com/dl/915203.html
技术资料
CVD金刚石厚膜晶格缺陷分析
摘要：应用X射线衍射仪的薄膜附件对热丝化学气相沉积金刚石厚膜的成核面和生长面进行分析，结果表明，金刚石厚膜的晶格常数从生长面到形核面沿深度方向是逐渐变小的。化学气相沉积金刚石初期生长的晶体存在大 ...
https://www.eeworm.com/dl/906218.html
技术资料
乙醇对金刚石膜生长特性的影响
采用EA-CVD(Electron Assisted Chemical Vapor Deposition)方法制备金刚石厚膜，在反应气体（CH4+H2）中添加乙醇，在保持其它条件不变的情况下研究
https://www.eeworm.com/dl/914829.html
技术资料
负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究
由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差，利用化学气相沉积（CVD）制备金刚石膜时，金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低。而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率，表明金
https://www.eeworm.com/dl/909850.html
技术资料
氮气流量对金刚石膜生长的影响研究
采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备掺氮金刚石薄膜，研究了不同氮气流量对金刚石膜的生长速率、表面形貌和膜品质的影响。实验发现，在较低的氮气流量下，金刚石膜的生长速率增加，在较高的氮气流
https://www.eeworm.com/dl/571/21118.html
模拟电子
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的 ...