MOSFET和IGBT区别
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了....
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了....
1引言现代电力电子学是研究用大功率半导体器件对电能进行变换与控制,达到节能、省材、高频、优化之目的。随着电力电子学的发展,工作频率已逐步由低频,向中频、高频方向发展。在电力电子学中,一般定义工作在400赫兹以下的频率称为低频;400赫兹以上、10千赫兹以下为中频;10千赫兹以上为高频。在实践中,人们...
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