BS结构

共 72 篇文章
BS结构 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 72 篇文章,持续更新中。

机械原理与机械设计 -经典PPT课件教程

<p>机械原理与机械设计适用于高等学校机械类专业本科的机械原理和机械设计两门课程的教学。上册第一篇中紧密结合几种典型机器的实例,引出一些基本概念,并介绍机械设计的一般过程和进行机械设计所需要的知识结构。第二、三、四篇分别介绍机构的组成和分析、常用机构及其设计和机器动力学的基础知识,为机械原理课程的主要内容。下册第五、六篇分别介绍机械零部件的工作能力设计和结构设计,为机械设计课程的主要内容。&ldq

基于MDK RTX 的COrtex-M3 多任务应用设计

基于MDK RTX 的COrtex&mdash;M3 多任务应用设计<br /> 武汉理工大学 方安平 武永谊<br /> 摘要:本文描述了如何在Cortex&mdash;M3 上使用MDK RL&mdash;RTX 的方法,并给出了一个简单的多任务应用设计。<br /> 关键词:MDK RTX,Cortex,嵌入式,ARM, STM32F103VB<br /> 1 MDK RL&mdash;RT

高增益K波段MMIC低噪声放大器

<p> &nbsp;</p> <div> 基于0.25gm PHEMT工艺,给出了两个高增益K 波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB

四大EMC设计技巧讲解

EMC设计中的滤波器通常指由L,C构成的低通滤波器。滤波器结构的选择是由&quot;最大不匹配原则&quot;决定的。即在任何滤波器中,电容两端存在高阻 抗,电感两端存在低阻抗。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120401150129210.jpg" />

带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流

COOLMOS_原理结构

看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下:<br /> 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,R

555电路综合应用

我们知道,555电路在应用和工作方式上一般可归纳为3类。每类工作方式又有很多个不同的电路。 在实际应用中,除了单一品种的电路外,还可组合出很多不同电路,如:多个单稳、多个双稳、单稳和无稳,双稳和无稳的组合等。这样一来,电路变的更加复杂。为了便于我们分析和识别电路,更好的理解555电路,这里我们这里按555电路的结构特点进行分类和归纳,把555电路分为3大类、8种、共18个单元电路。每个电路除画出它

一种基于LBT的分布式图像压缩算法

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">无线多媒体传感器网络(WMSNs)中传感器节点采集的数据量非常大,在传输前需对大数据量的多媒体信息进行压缩处理,但是单节点能源受限,存储、处理能力相对较

常用D/A转换器和A/D转换器介绍

<p>   常用D/A转换器和A/D转换器介绍</p> <p>   下面我们介绍一下其它常用D/A转换器和 A/D 转换器,便于同学们设计时使用。</p> <p>   1. DAC0808</p> <p>   图 1 所示为权电流型 D/A 转换器 DAC0808 的电路结构框图。用 DAC0808 这类器件构 成的 D/A转换器,需要外接运算放大器和产生基准电流用的电阻。DAC0808

2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体

功率MOSFET驱动保护电路方案

分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120314142512R5.jpg" styl

基于CUDA的红外图像快速增强算法研究

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对红外图像边缘模糊,对比度低的问题,文中研究了改进的中值滤波和改进的Sobel边缘检测对红外图像进行处理。在对处理后图像的特征进行分析的基础上,研究了

运算放大器是模拟系统的主要构件

<div> 运算放大器是模拟系统的主要构件。它们可以提供增益、缓冲、滤波、混频和多种运算功能。在系统结构图中,运算放大器用三角形表示,有五个接点:正极电源、负极电源、正极输入、负极输入和输出,如图1(所有图片均在本文章最后)所示。电源脚用来为器件加电。它们可以连接 +/- 5V 电源,或在特殊考虑的情况下,连接 +10V 电源并接地。输入与输出之间的关系直截了当:Vout = A (Vin+ -

运算放大器增益稳定性第2部分-DC增益误差分析

<div> 在第 1 部分中,我们计算了频率域中非反相运算放大器结构的闭环传输函数。特别是,我们通过假设运算放大器具有一阶开环响应,推导出了传输函数。计算增益误差时,振幅响应很重要。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130319152240J3.jpg" style="width: 441px; height: 27

时钟分相技术应用

<p> 摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。<br /> 关键词: 时钟分相技术; 应用<br /> 中图分类号: TN 79  文献标识码:A   文章编号: 025820934 (2000) 0620437203<br /> 时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的<br /> 性能。尤其现代电子系统对性

机载设备机箱的电磁屏蔽设计

通过分析机载设备对机箱的设计要求,得出了机载设备机箱屏蔽设计包括机箱材料选择和保证屏蔽完整性两方面的结论,并进一步给出了机载设备机箱结构上关于盖板、通风孔、导线穿透和开口、缝隙处理等方面电磁屏蔽设计的方法和技术措施。

小型化电容加载腔体滤波器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用电容加载传输线缩短理论,重新设计腔体滤波器的内部结构,利用T型梳状结构实现加载电容,减小腔体尺寸。仿真设计并实际加工出一个中心频率为2.4GHz的带通

RC桥式振荡电路性能研究与仿真

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对RC桥式低频信号振荡器的性能和应用,对振荡电路的基本结构及性能指标进行探讨,分别从选频网络、稳幅环节及频率可调三个方面对电路性能进行改进,并结合仿真

基于MC9S08SL8的电动汽车仪表盘信号转换器设计

<span id="LbZY">笔者以Freescale的S08系列8位微处理器MC9S08SL8为核心,为某电动汽车设计了一款仪表盘信号转换器,实现了电机转速检测、与电机控制器的LIN通信、原车仪表信号模拟等功能。利用芯片内部资源特性设计了其硬件结构及电路,根据仪表盘的原理和工作方式设计了软件流程,装车试验运行稳定,有很高的实用价值。<br /> <img alt="" src="http://

CMOS和TTL电路探讨

<p> 通常以为TTL门的速度高于&ldquo;CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大,作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有&ldquo;传输延时&rdquo;tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称&ldquo;速度-功耗积&rdquo;,做为器件性能的一个重要指