600v
共 24 篇文章
600v 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 24 篇文章，持续更新中。
功率因数校正和镇流器控制
IR2166是完全集成的，完全保护的，可驱动所有类型荧光灯的600V电子镇流器控制芯片。PFC电路以临界导通模式(CCM)方式工作，可获得高功率因素，低THD及直流电压调整。IR2166的特性包括预热频率和运行频率可调，预热时间可调，死区时间可调，过流门限电压可调，以及灯寿命保护。该IC还有其他 完善的保护性能诸如灯管触发失败保护，灯丝故障保护，灯寿命保护。直流母线欠压复位以及自动重启动功能。IR
VIPer25 18-30W原边LED恒流驱动电路方案
LNKVIPer25 18-30W原边反馈LED恒流驱动电源电路方案变压器，VIPER25A 是一款离线式小功率AC/DC 开关电源的高精度原边反馈LED 恒流驱动电路，内部集成600V 高压功率管，适应于85V-265Vac 全范围输入、反激式隔离LED 恒流驱动。通过原边控制，无需光耦等次级反馈环路，即可实现高精度的LED 恒流输出，降低成本。
VIPer23A 8-12W LED恒流驱动电路方案
LNKVIPer23A 8-12W小功率原边反馈LED恒流驱动电路方案变压器，VIPer23A是一款离线式小功率AC/DC开关电源的高精度原边反馈LED恒流驱动电路，内部集成600V高压功率管，适应于85V-265Vac全范围输入、反激式隔离LED恒流驱动。通过原边控制，无需光耦等次级反馈环路，即可实现高精度的LED恒流输出，降低成本。
安規基本概念
范围 - 本标准适用于额定电压不超过600V的信息技术设备, 包括商业电气设备和与之相关的设备, 直接与通讯网络连接的电气设备
IR产品的资料
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布针对节能汽车栅极驱动应用推出坚固可靠的 600V IC 系列，应用领域包括压电与共轨喷射系统、起动发电机、电子动力转向系统、风扇和压缩机等。
UBA2028 600V dimmable power IC for Compact Fluorescent Lamps
<P>The UBA2028 is a high voltage power IC intended to drive and control electronically ballasted Com
ADAPTIVE BALLAST CONTROL IC
The IR2520D(S) is a complete adaptive ballast controller and 600V half-bridge driver integrated into
新一代600V IGBT在UPS的应用
本文将介绍英飞凌的第三代采用沟槽栅场终止技术的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的应用。在介绍最新沟槽栅场终止技术的背景后，本文探讨如何充分利用IGBT静态与动态性能改进和175℃的最高结温
TSP5N60M TSF5N60M 600V N-Channel MOSFET
This Power MOSFET is produced using Truesemi’s advancedplanar stripe, DMOS technology.This latest te
IGBT器件和模块的发展
<P>大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性<BR>薄片工艺，110μm (1200V), 60 μm (600V)<BR>小管芯，15年来管芯的面积减少了2/3<BR>大芯片，4”－5
大电流，高/ 低端栅极驱动芯片
FAN7390 为单片高端和低端门极驱动集成电路 (IC)，用来
驱动工作电压高达 +600V 的高速 MOSFET 和 IGBT。其
具有全 NMOS 转换电路的缓冲输出端，设计用于高脉冲
电流驱动能力，并使交叉传导最小。
碳化硅电力电子器件的发展现状分析
SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管（SBD）和JBS结构二极管。目前，SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。
boost Matlab Sinmulink仿真
双闭环系统控制 boost MATLAB SIMULIN 仿真 升压300到600V
单相全桥逆变电路讲解资料
<p>l整流桥选择： l以电源输入功率300VA,输出240W设计 l整流器额定电压的确定：整流器的额定电压应为最高输入电压有效值3倍以上，其原因是电网中存在瞬态过电压，通常输入电压或输入电压85~265V应选择600V以上耐压的整流器或二极管。 </p>l整流桥额定电流的确定：考虑电网电压波动(±10%波动)则整流滤波最低电压为： <p>
IGBT的大功率直流有刷电机(跑步机等电机)驱动板原理图和PCB
<p>本设计主要思路是想实现一种通过USART 就可以直接控制大功率电机驱动控制板集成STM32主控，可通过USART控制电机，附件内容包含原理图和PCB和基于STM32固件程序（含有IGBT驱动芯片：1ED020I12-B2 输出电流高达2A,所有的逻辑是不5V CMOS兼容的,能直接连接到MCU适用于600V/1200V IGBT,主要用在大功率电机驱动。</p><p>简单USART控制命令可
600VFS结构IGBT的设计
<p>本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法，并通过和国内某知名代工线合作，完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。</p><p>1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行分析讨论，然后结合代工线的特点，进行了600V平面栅FS结构IGBT的工艺流程、元胞结构与终端结构设计，最后完成版图设计并进行工艺流片。所设计的器件工艺流程为：先进行器件背面的FS
IGBT三电平模块数据手册
这款是SEMIKRON公司的三电平模块数据手册，600V的电压等级75A的额定电流
透过MOSFET电压电流最佳化控制传导性及辐射性EMI
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器
英飞凌功率器件新技术
ThinQ!™ SiC 二极管的模块时代 600V / 1200V / 1700V –部分产品 应用
COOLMOS全面认识
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Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 6