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cpu卡资料atmelMCS51 RAM 512k 8bit iso7816
单片机开发 实现华邦512K存储器W29C040的读写控制
实现华邦512K存储器W29C040的读写控制，由51单片机控制（AT89S52），由LCD1602显示读取的数据及地址
单片机开发 W29C040(512K FLASH)读写程序2007-09-10 11:16很是激动
W29C040(512K FLASH)读写程序2007-09-10 11:16很是激动，去年用AT89S52捣弄了半年也没搞定，这次换成C8051f040，也不知道是天见我可怜还是狗运，终于把数据写进去了。想当时到处找的程序都没用，郁闷非常，这次走运成功，拿出来晒晒太阳（虽然也是该的别人的程序，但是好歹能用）。
/*W29C040(512K FLASH)读写程序*/
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技术资料 stm32F103详细中文手册——增强型，32位基于ARM核心的带512K字节闪存的微控制器
STM32技术资料，F103技术资料。中文下载。STM32是目前应用广泛的IC。■ 内核：ARM 32位的Cortex™-M3 CPU− 最高72MHz工作频率，在存储器的0等待周期访问时可达1.25DMips/MHz(Dhrystone− 单周期乘法和硬件除法■ 存储器− 从256K至512K字节的闪存程序存储器− 高达64K字节的SRAM− 带4个片选的静态存储器控制器。支持CF卡 ...
电子书籍 三星公司SDRAM（K4S643232H-TC/L60 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM） 器件操作时序
三星公司SDRAM（K4S643232H-TC/L60 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM） 器件操作时序，本中文的页码和原英文对应的页码内容相对应
嵌入式/单片机编程 FLASH存储器CMOS8M(1M 8/512K×16)BIT MBM29LV800TA-70/90/-12/MBM29LV800B
FLASH存储器CMOS8M(1M 8/512K×16)BIT
MBM29LV800TA-70/90/-12/MBM29LV800B
VHDL/FPGA/Verilog Verilog 编写的IP核
Verilog 编写的IP核，512K的16位SRAM
单片机开发 SST28SF040是SST公司推出的高速可编程闪存。它具有512k*8的存储结构 芯片擦除及写入的时间快,可靠性高,能够重复写100,000次,低功耗.以上程序是用c51编写的驱动程序
SST28SF040是SST公司推出的高速可编程闪存。它具有512k*8的存储结构 芯片擦除及写入的时间快,可靠性高,能够重复写100,000次,低功耗.以上程序是用c51编写的驱动程序，希望对使用该芯片的同仁有所帮助
微处理器开发 atmel工业级芯片手册
atmel工业级芯片手册，虽然过时，但是很实用，非常稳定。内置512k RAM。
技术资料 FLASH芯片AT25F512中文资料
FLASH芯片AT25F512的中文资料，该芯片为SPI接口，512代表512K，与其他系列芯片用法相同