500V MOSFET
共 507 篇文章
500V MOSFET 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 507 篇文章，持续更新中。
AN-6076供高电压栅极驱动器IC使用的自举电路的设计和使用准则
本文讲述了一种运用于功率型MOSFET 和IGBT 设计性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率，大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子<BR>工程师们都能从中获益。在大多数开关应用中
大功率LED集成的高压侧LED驱动器 电流检测和PWM调光MOSFET驱动器
<P>A dimming driver designed to drive an external n-channel MOSFET in series with the LED string pro
APT IGBT选型手册
APT的IGBT和MOSFET设计选型参考，一目了然，拥有它，很方便
MOSFET的UIS及雪崩能量解析
MOSFET的UIS及雪崩能量解析,希望加深mosfet的了解
步进电机驱动器中mosfet的驱动设计
<P>本文介绍了在步进电机驱动器中利用IR2110S完成mosfet驱动的设计，并给出试验结果。<BR>关键词 步进电机；mosfet 驱动器</P>
基于MOSFET内部结构设计优化的驱动电路
功率MOSFET具有开关速度快，导通电阻小等优点，因此在开关电源，马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际的设计过程中，电子工程师对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注，尤其是从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动电路的设计，导致在实际的应用中，MOSFET产生一定的失效率。本文将讨论这些细节的问题，从而优化MOSFET的驱动性能，提高整个系统的可靠性。
IGBT模块驱动及保护技术.pdf
IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只有μA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电
基于ARM的模糊PID控制器在直流调速中的应用
直流电动机由于具有良好的调速特性，宽广的调速范围，在某些要求调速的地方，特别是对调速性能指标要求较高的场合，如轧钢机、龙门刨床、高精度机床、电动汽车等中，得到了广泛地应用。国外这类调速系统的价格高，而国内的同类产品性能指标不够稳定，因此设计一个性能价格比较高的直流调速系统，对工业生产具有重要的现实意义。 本文采用ARM S3C2410为控制芯片，以模糊PID为智能控制方法，设计了基于实时嵌入式操作
基于UC3842反激式开关电源的设计
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关晶体管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，一般由PWM（脉冲宽度调制）控制IC和 MOSFET构成。本文利用开关电源芯片UC3842设计制作一款新颖的单端反激式、宽电压输入范围、12V8A固定电压输出的96W 开关稳压电源,适用于需要较大电流的直流场合（如对汽车电瓶充电）。
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用.doc
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用.docMOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用.doc
汽车解决方案手册
汽车解决方案手册提供汽车解决方案，以及产品和设计相关信息以应对复杂的设计挑战，包括从功率分立元件和控制IC技术到最新型IGBT和MOSFET的信息。
UC3842开关电源电路图
UC3842为8脚双列直插式封装，其内部原理框图如图1所示。主要由5.0V基准电压源、用来精确地控制占空比调定的振荡器、降压器、电流测定比较器、PWM锁存器、高增益E/A误差放大器和适用于驱动功率MOSFET的大电流推挽输出电路等构成。端1为COMP端；端2为反馈端；端3为电流测定端；端4接Rt、Ct确定锯齿波频率；端5接地；端6为推挽输出端，有拉、灌电流的能力；端7为集成块工作电源电压端，可以工
开关电容电路及MOSFET_C连续时间电路??原理与应用 166页 1.9M.pdf
资料->【B】电子技术->【B4】电子专题->【0】电源技术->【开关电源】->开关电容电路及MOSFET_C连续时间电路??原理与应用 166页 1.9M.pdf
功率MOSFET与高压集成电路
本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。
步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计.pdf
资料->【C】嵌入系统->【C3】自动化控制->【2】电机机床->【电机】->步进电机->步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计.pdf
几种MOSFET驱动电路的研究
摘要：介绍并分析研究了几种较简单实用的驱动电路,给出了电路图,部分仿真波形或实验波。
关键词：高频驱动电路
安森美半导体 高能效电源方案选型指南
近年来，世界各国政府或组织出台了众多能效法规、标准或激励项目，旨在提升电源能效，减轻电能消耗对自然环境的影响，创造更加绿色环保的世界。
安森美半导体身为应用于高能效绿色电子产品的首要高性能、高能效方案供应商，提升符合甚至超越各种全球能效规范标准的高能效电源产品及方案，包括交流-直流(AC-DC)控制器和稳压器，直流-直流(DC-DC)控制器、转换器和稳压器，电压和电流管理，二极管和整流器
详解MOSFET的驱动技术及应用
摘要: MOSFET 作为功率开关管，已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET 作为电压型驱动器件，其驱动表面上看来是非常简单，但是详细分析起来并不简单。
大电流，高/ 低端栅极驱动芯片
FAN7390 为单片高端和低端门极驱动集成电路 (IC)，用来
驱动工作电压高达 +600V 的高速 MOSFET 和 IGBT。其
具有全 NMOS 转换电路的缓冲输出端，设计用于高脉冲
电流驱动能力，并使交叉传导最小。
实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页 11.3M.pdf
资料->【B】电子技术->【B2】电路设计->【0】电路集锦->实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页 11.3M.pdf