500V MOSFET
共 507 篇文章
500V MOSFET 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 507 篇文章，持续更新中。
SD6701S系统参考设计评估版
帮助开发者高效设计非隔离LED驱动方案，SD6701S提供高恒流精度与优异负载调整率，集成多种保护功能，支持85VAC-265VAC宽电压输入，内置500V高压MOSFET，降低系统成本与体积。
SD6701,SD6701S,士兰微SD6701STR,SD6701 SOP-7
SD6701S是一款专为非隔离LED驱动设计的控制芯片，采用Buck架构实现高恒流精度与优异负载调整率。内置500V高压MOSFET，支持85VAC至265VAC宽电压输入，集成多重保护机制，具备超低启动与工作电流，适用于高亮度LED应用。
恒流源
基于MOSFET的恒流源设计，支持电流调节与稳定输出，适用于工业控制与电源模块开发，代码可直接用于生产环境，经过多个项目验证，具备高可靠性与实用性。
电弧火箭电源调理单元的研究
研究了电孤火箭发动机对电源调理单元
(PCU) 的输出特性要求.基于逆变电源脉宽调制技术与峰值电流型控制原理，以MOSFET 为主功率器件，研制
了一台电弧火箭电源调理单元.给出了Arcjet 工作时的实验数据通过增加PCU 输出电压的闭环反馈电路，可
以使PCU 的输出外特性呈现正阻性，保证电弧的稳定燃烧
MOSFET
涵盖MOSFET器件原理、参数特性和应用设计的完整技术资料，适合电力电子工程师深入理解与实际开发。包含详细的数据手册和性能分析。
2SD315AI中文资料
采用双路SCALE技术架构，专为IGBT与MOSFET驱动设计，2SD315A芯片驱动手册提供精准的电气特性和应用配置指导，适用于高可靠性功率电子系统开发。
无刷直流电机驱动
基于实际项目验证的MOSFET栅极驱动方案，专为无刷直流电机控制系统设计，具备高响应与低损耗特性，提升电机运行效率与稳定性。
MOSFET与IGBT的应用区别
深入解析MOSFET与IGBT在不同场景下的性能差异，基于电力电子标准实现高效对比分析，适用于功率器件选型与电路设计优化。
LLC次级同步整流方案
从基础原理到实际应用，循序渐进讲解LLC次级同步整流方案的设计与实现，适用于提升开关电源效率的工程师。掌握MOSFET驱动、拓扑结构优化等关键技术。
IRF3205中文资料
深入解析IRF3205功率MOSFET，从基础参数到实际应用全面讲解，适合电力电子学习者掌握器件特性与使用方法。
采用双N沟道MOSFET设计低压马达驱动
基于双N沟道MOSFET设计的低压马达驱动电路，采用电荷泵方案实现高效控制，适用于低电压电机应用，具备良好的开关性能和稳定性。
MOSFET工作原理
难得一见的MOSFET工作原理深度解析，涵盖开关特性与电压电流波形变化，技术细节详实，适合功率电子从业者参考。
敏感型车载信号继电器TX
适用于汽车电子，尤其是电动汽车的敏感型继电器，其触点的最小应用负载可低至10uA10mV DC。耐电AC2,000V、耐电涌电压2,500V的小型·高耐压型继电器
LM4702芯片驱动MOSFET输出级
LM4702芯片驱动MOSFET输出级，欢迎大家交流电子方面知识。
模拟CMOSIC学习总结
1、CS单管放大电路
共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大时输入的最小电压为VIN-VTH，最大值约为VDD，假设其在饱和区可以完全表现线性特性，并且实
MOSFET驱动电路
解决MOSFET驱动电路设计中的难题？这份资源深入探讨了基于脉冲电源的MOSFET驱动技术，帮助你优化电路性能。通过详细分析与实际案例，你可以快速掌握关键设计技巧，提升系统效率和可靠性。
大功率开关电源中功率MOSFET
本资源深入探讨了大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术，为电子工程师提供了详尽的设计指南。内容涵盖了从基本原理到高级应用技巧，特别适合从事电力电子、工业控制及新能源领域的专业人士参考学习。通过阅读这份资料，您将能够掌握如何优化MOSFET的工作效率与可靠性，从而设计出更加高效稳定的电源系统。立即免费下载完整版文档，开启您的专业成长之旅。
TB 6560AHQ 使用说明
本资源提供了详细的TB 6560AHQ使用说明，适用于需要高精度控制的步进电机驱动项目。该驱动器采用双全桥MOSFET设计，具有低至0.6Ω的导通电阻，支持高达40VDC的工作电压和3.5A峰值电流，确保了高效稳定的运行性能。此外，它还支持多种细分设置（1/1、1/2、1/8、1/16），以及可调的衰减方式，使得用户能够根据具体需求灵活调整参数以达到最佳效果。无论是初学者还是经验丰富的工程师，都能
IPB120N06S4-02
IPB120N06S4-02是一款高性能的MOSFET，适用于各种电子工程和嵌入式开发项目。本资料手册详细介绍了该型号MOSFET的技术参数、电气特性及应用指南，是工程师进行电路设计与优化时不可或缺的重要参考资料。无论您是在开发电源管理模块还是在构建高效能开关电路，这份免费且完整的文档都将为您提供强有力的支持。
简易直流电子负载
简易的直流电子负载设计报告，以单片机W78E058为主控芯片，包括主控器、人机交互电路、MOSFET功率电路和信号处理电路