3v
共 228 篇文章
3v 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 228 篇文章，持续更新中。
MC34063升压仿真
利用Proteus平台，该仿真项目基于MC34063芯片实现从3V到5V的高效升压转换。采用先进的电路设计与仿真技术，确保了模型在实际应用中的高精度和可靠性，是电子工程师学习和验证DC-DC转换器工作原理的理想选择。
3V-5V电平转换
掌握3V到5V电平转换的关键技术，这份指南深入浅出地讲解了从基础概念到实际应用的全过程。无论是初学者还是有一定经验的工程师，都能从中获得宝贵的知识和实践经验。跟随我们的学习路径，逐步理解电平转换的核心原理，并学会如何在不同场景下选择合适的解决方案。
89c2051 时钟
LED数码管时钟电路采用24小时计时方式，时、分、秒用六位数码管显示。采用AT89C2051单片机，可使用3V电池供电，使用一个按键开关，可进入调时、省电（不显示LED数码管）和正常显示三种状态。
ISL85415DEMO1Z应用指南
The ISL85415DEMO1Z kit is intended for use for Point-ofLoad applications sourcing from 3V to 36V. The kit is used to
demonstrate the performance of the ISL85415 Wide VIN Low
Quiescent Current High
SC51P0304与标准51区别
SC51P0304与标准51区别.
SC51P0304是一款3V的I/O型低功耗8位MCU。它采用SC51核，内嵌4K字节OTP和128字节RAM。1.8V~3.6V的工作电压范围、超低停机电流和低频下低工作电流等特点，使其特别适合电池供电应用系统。4K程序容量、优化的抗干扰性能、8mA管脚驱动能力、丰富的定时器功能和相当于8位PWM的载波发生器，也使SC51P0304适合于各种小家电控制应用。
3V升5V电路，USB充3.7V
双模式，3.7V升5V,USB5V充3.7V电池
3V技巧与诀窍
3V5V技巧与诀窍,MICROCHIP版本
P89LPC920
8-bit microcontrollers with two-clock 80c51 core 2kb/4kb/8kb 3v low-power Flash with 256-byte data RAM
3V到5V稳压电路
3V到5V的稳压电路介绍，有芯片手册与电路图等资料。
74芯片汇总
用于逻辑电路开发芯片功能查询。这9种74系列产品，只要后边的标号相同，其逻辑功能和管脚排列就相同。根据不同的条件和要求可选择不同类型的74系列产品，比如电路的供电电压为3V就应选择74HC系列的产品
通信元器件选用指南
近年来，随着半导体工艺技术的发展、通信技术与计算机技术的融合，使通信产品有了飞跃发展，产量也猛
增。如今，各种小巧玲珑的新型手机不断问世，它不仅可用语言通话、发短信，还能玩游戏，有的还具有数码相
机功能，甚至还可以上网、看电视节目。另外，对讲机也不仅应用于公安、交警，铁路、民航运输，目前已扩大
到新区保安、停车场管理、出租车调度等服务行业。
通信产品的发展促使开发出各种新型通信元器件。其发
3V与5V混合系统中的逻辑接口问题
关于电路中3V与5V混合连接的一些方法和电路介绍
激光发射器
激光发射器，额定工作电压为3v，工作电流小于30mA，光点大小小于15mm
3V技巧
介绍如何进行3V转5V的技巧，有多种方法，包括芯片实现，和分类元件实现.
STM704_DataSheet
3V Supervisor with Battery Switchover
3V的监控与电池切换
STM690
中文描述： 3V的电池监控与切换（3V的带电池转换功能的监控器）
3V系统232收发器MAX3325
3V系统232收发器MAX3325，MAXIM公司的文档。
频率的测量
测量0-2M的频率，基于mega16单片机。无外围电路辅助，信号幅值的高于3V
ATMEGA32中文资料
产品特性
• 高性能、低功耗的 8 位AVR® 微处理器
• 先进的RISC 结构
– 131 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期
– 32个8 位通用工作寄存器
– 全静态工作
– 工作于16 MHz 时性能高达16 MIPS
– 只需两个时钟周期的硬件乘法器
• 非易失性程序和数据存储器
– 32K 字节的系统内可编程Flash
擦写寿命: 10,000 次
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2.45GHz高线性功率放大器设计
本文基于SMIC 0.18um RF-CMOS 工艺，以Agilent-ADS 为仿真平台实现了一种工作于2.45GHz 功率放大器的设计，仿真结果表明ADS 软件在建模和仿真分析方面表现出很好的性能。电路采用两级放大的结构，分别采用自偏置技术和电阻并联负反馈网络来缓解CMOS 器件低击穿电压的限制，同时保证了稳定性的要求。为了提高线性，采用了一种集成的二极管线性化电路对有源器件的输入电容变化提供