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技术资料 5V英特尔StrataFlash存储器设计指南（以28F320J5，28F640J5为例）

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技术资料 SA-1100与5V英特尔StrataFlash 存储器接口(涉及28F320J5 28F640J5)

Capitalizing on two-bit-per-cell technology, IntelÒStrataFlash™ memory devices p
https://www.eeworm.com/dl/904251.html
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技术资料 从5 V Intel StrataFlash存储器,3 V FlashFile存储器升级设计到3 V Intel StrataFlash存储器的方法(涉及28F320J5,28F640J5,28F16

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技术资料 在英特尔微处理器结构中设计中加入英特尔StrataFlash存储器的方法(重点论述ISA总线和PCI总线结构中的应用,涉及28F320J5,28F640J5)

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技术资料 32,64 M位 英特尔StrataFlash 存储器技术资料更新(1998年)

The 28F320J5 and 28F640J5 may contain design defects or errors known as errata which maycause th
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技术资料 PC卡与容量大于64-M字节的通用存储器结合设计的卡结构及注意事项(以28F320J5 28F640J5 8-64 M字节200系列闪速存储器卡为例)

1.0 INTRODUCTION .............................................52.0 ARCHITECTURE AND IMPLEMENTATI
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