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160 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 431 篇文章，持续更新中。
3 V,5 V FlashFile存储器(28F160S3,28F160S5,28F320S3,28F320S5(x8,x16)) 应用技术资料更新(1999)
The 28F160S3, 28F320S3, 28F160S5 and 28F320S5 may contain design defects or errors known as<BR>errat
GPS接收机天线阵列抗干扰算法研究及其FPGA实现
GPS技术在导航、定位及精确打击等方面产生了重要影响，已经广泛地应用在各种武器平台上。但是，在干扰环境下也显现出许多问题。由于其到达地球表面的信号极其微弱(-160dBW)，在现在复杂的电磁环境中容易受到干扰，尤其是C/A码信号更易受到干扰，并且随着导航战的发展对GPS的抗干扰已成为争取导航资源的有效措施。因此，研究干扰环境下的GPS接收机设计具有重要意义。 本文首先简要介绍了GPS信号的结构及构
基于ARM的指纹采集系统研究
随着信息技术的不断发展，安全、可靠的身份识别技术成为许多系统首先考虑的问题。指纹具有唯一性和稳定性，因此指纹采集技术是指纹识别技术中的最为重要的一个环节，伴随着生物识别技术的不断提高，以及指纹传感器的性能不断提升，指纹识别技术的应用越来越广泛。因此，高质量的采集指纹图像技术已经成为一个重要的研究课题。 本文的内容是基于ARM的指纹采集系统的设计。按照设计思想，系统主要包括两个大的模块：指纹图像采集
FPGA用于160Gbs高速光纤通信系统中PMD补偿的研究
偏振模色散(PMD)是限制光通信系统向高速率和大容量扩展的主要障碍，尤其是160Gb/s光传输系统中，由PMD引起的脉冲畸变现象更加严重。为了克服PMD带来的危害，国内外已经开始了对PMD补偿的研究。但是目前的补偿系统复杂、成本高且补偿效果不理想，因此采用前向纠错(FEC)和偏振扰偏器配合抑制PMD的方法，可以实现低成本的PMD补偿。 在实验中将扰偏器连入光时分复用系统，通过观察其工作前后的脉冲波
瑞芯Rknano主要技术参数
瑞芯Rknano主要技术参数
ARM + Hardware Accelerator ，最大主频120M
支持8/16位LCD，支持MCU屏，最大分辨率160x128
支持SD、I2S、I2C接口，内置PWM控制器
8bit ECC NAND FLASH控制器，支持4片选，SLC/MCL
28F016SA,SV FlashFile存储器与3 V、5 V FlashFile存储器(28F160S3,28F320S3,28F160S5,28F320S5)移植性设计指南
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英特尔3V 快速引导块28F800F3, 28F160F3和Motorola MPC860 CPU 接口的设计指南
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直线电机在数控机床中的应用.pdf
直线电机的历史可以追溯到1840年惠斯登制作的并不成功的略现雏形的直线电机，其后的160多年中直线电机经历了探索实验、开发应用和使用商品化三个时期。 1971年至目前，直线电机终于进入独立应用的时期，各类直线电机的应用得到了迅速的推广，制成了许多有实用价值的装置和产品，例如直线电机驱动的钢管输送机、运煤机、各种电动门、电动窗等。利用直线电机驱动的磁悬浮列车，速度已超过500km/h，接近了航空飞行
基于ARM的心电信号采集与远程传输系统的研究与设计
心血管疾病是威胁人类健康的主要疾病之一，而心电图检测是诊断心脏病变的有效手段。心电数据的高效采集和实时传输成为心电检测的基础，因此，设计一种性能可靠、价格低廉、体积较小的心电采集与远程传输系统将对心血管疾病的检测和预防具有重要意义。 本文在对心电信号采集技术和以太网传输技术进行深入研究的基础上，设计实现了一款基于ARM的心电信号采集与以太网传输系统。该系统前端是利用AD620、LM324、ADOP
SST39LF160.rar
nand flash 的驱动部分，对于想了解nand的人们做个参考，了解flash的基本知识
基于ColdFire MCF5249的Flash存储器扩展技术
论述了基于Freescale 32 位ColdFire 系列微处理器MCF5249 的Flash 存储器扩展技术，以MCF5249对MX29LV160BT Flash 存储器的扩展为例，介绍了扩展的原
【】莱士LIS9418非隔离 165V/450mA 单电压应用 LED 驱动方案
LIS9412 60~150V/120~150mA 单电压 LED 驱动方案 LIS9415_165V/240mA单电压应用LED驱动方案 Input:160VAC～265VAC/50HZ；Output:80～165V/240mA LIS9416 165V/300mA 单电压应用 LED 驱动方案 Input：160VAC～265VAC/50HZ； Output：165V/300mA LIS941
3 V快速引导块闪速存储器设计指南（以28F800F3 28F160F3为例）
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ARM9基础实验教程
- vii -
8.1.1 实验目的 315
8.1.2 实验设备 315
8.1.3 实验内容 315
8.1.4 实验原理 315
8.1.5 实验操作步骤 318
8.1.6 实验参考程序 319
8.1.7 练习题 321- vi -
6.4 USB 接口实验 266
6.4.1 实验目的 266
6.4.2 实验设备 267
6.4.3
英特尔3V 快速引导块28F800F3, 28F160F3和日立SH3-7709A CPU接口的设计指南
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基于ARM微处理器的温室控制器系统设计
本文介绍了一种基于先进的ARM 微处理器的温室自动监测控制器系统的实现过程，系统硬件选用S3C44B0X 嵌入式芯片构建硬件平台，存储系统包括一片4M×16bit 的Flash（SST39VF160）
EPM7192SQC160-10
中文资料EPM7192SQC160-10。
SST39VF160x.rar
flash驱动程序，可以实现处理器对外扩flash的读写访问。
16Kbit非易失性铁电存储器FRAM芯片FM25C160原理及其应用
<P>FM25C160 是美国Ramtron 公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。它<BR>具有高速读写，超低功耗和无限次写入等特性。文中介绍了FM25C160 的性能<BR>特点﹑管脚定义﹑内部结
基于51单片机程序例程，内含160例（初级）
基于51单片机程序例程，内含160例（初级），初学者福利代码有中文详细注解，通俗易懂。可以看得出作者真的很用心.这也让我们学习单片机基础更加的容易理解。