100mΩ+MOSFET

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本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。

2023-05-14 3 100mΩ+MOSFET

分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。

2014-01-25 167 100mΩ+MOSFET

开通过程[ t0 ~ t4 ]: -- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止状态,t0 时,MOSFET 被驱动开通; -- [t0-t1]区间,MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升,在t1 时刻,到达维持电压Vth,...

2013-10-14 85 100mΩ+MOSFET

功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配;设计了基于IR21...

2013-12-18 103 100mΩ+MOSFET