100mΩ+MOSFET
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查看全部 175 份 →透过MOSFET电压电流最佳化控制传导性及辐射性EMI
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我...
2014-09-08
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实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页-11.3M.pdf
专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页-11.3M.pdf
2013-07-25
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实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页 11.3M.pdf
实用电子技术专辑 385册 3.609G实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页 11.3M.pdf
2014-05-05
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实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页 11.3M.pdf
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2023-04-17
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实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页-11.3M.pdf
专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页-11.3M.pdf
2023-08-22
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