高效开关

共 53 篇文章
高效开关 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 53 篇文章,持续更新中。

高频三极管

更高效率的选用高频晶体管,在高频设计时如何选择看后一目了然,不但可以节约时间,还有设计方法中管子型号的推荐!

模拟cmos集成电路设计(design of analog

<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术,还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石,而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&

带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流

4-20mA,0-10V电流~电压模拟信号光电隔离放大器

iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等,可以将直流电压小信号进行隔离放大(u/u)输出或直接转换为直流电流(u /i)信号输出。较大的输入阻抗(&ge;1 m&omega;),较强的带负载能力(电流输出>650&omega;,电压输出&ge;2k&o

一种基于LBT的分布式图像压缩算法

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">无线多媒体传感器网络(WMSNs)中传感器节点采集的数据量非常大,在传输前需对大数据量的多媒体信息进行压缩处理,但是单节点能源受限,存储、处理能力相对较

基于遗传算法的组合逻辑电路设计的FPGA实现

<p> <span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">基于遗传算法的组合逻辑电路的自动设计,依据给出的真值表,利用遗传算法自动生成符合要求的组合逻辑电路。由于遗传算法本身固有的并行性,采用软件实现的方法在速度上往往受到本质是串行计算的计算机制约,因此采用硬件化设

三极管当开关使用

三极管除了可以做交流信号的放大器外,还能做开关使用,本文主要就是介绍三级当开关使用的情况作分析,以及三极管当开关使用时候的一些简单电路的介绍。

开关稳压器电路的效率特性分析

<p> 开关稳压器使用输出级,重复切换&ldquo;开&rdquo;和&ldquo;关&rdquo;状态,与能量存贮部件(电容器和感应器)一起产生输出电压。它的调整是通过根据输出电压的反馈样本来调整切换定时来实现的。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111231152A1N8.jpg" /></p>

降低EMI和保持高效率D类放大器在便携式产品中的应用

<div> Abstract: Class D amplifiers are typically very efficient, making them ideal candidates for portable applications that require longbattery life and low thermal dissipation. However, electromagn

多路复用器、模拟开关设计指南

多路复用器、模拟开关设计指南

高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究

本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外,对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。

CMOS和TTL电路探讨

<p> 通常以为TTL门的速度高于&ldquo;CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大,作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有&ldquo;传输延时&rdquo;tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称&ldquo;速度-功耗积&rdquo;,做为器件性能的一个重要指

单端10-bit SAR ADC IP核的设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">本设计通过采用分割电容阵列对DAC进行优化,在减小了D/A转换开关消耗的能量、提高速度的基础上,实现了一款采样速度为1

基于ADS高效率微波功率放大器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于ADS软件,选取合适的静态直流工作点,采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性,并通过设计和优化得到最佳的共轭匹

一种载波同步锁相环设计方案

<p> 研究了一种利用corid 算法的矢量及旋转模式对载波同步中相位偏移进行估计并校正的方法.设计并实现了基于corid 算法的数字锁相环.通过仿真验证了设计的有效性和高效性.</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-1202091A23D44.jpg" style="width: 488px; height:

磁珠的原理及应用

<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求,电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂,单单依靠理论知识是完全不够的,它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题,还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋

LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计

摘要:对LDO线性稳压器关键技术进行了分析,重点分析了LDO稳压器的稳定性问题,在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路,利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络,通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态,即改变开关电阻、寄生电容的值,从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比,该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br /> 关键词:LDo;稳定性;ESR;动态频率补偿

高等模拟集成电路

近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点,因而大多数复杂系统以数

MT-015 DAC基本架构II:二进制DAC

虽然串DAC和温度计DAC是迄今最为简单的DAC架构,但需要高分辨率时,它们绝不是 最有效的。二进制加权DAC每位使用一个开关,首创于1920年代(参见参考文献1、2和3)。 自此以后一直颇受欢迎,成为现代精密和高速DAC的支柱架构。

实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究

摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算<BR>方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义.