高压MOS
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查看全部 500 份 →MOS管被静电击穿的原因分析
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2022-12-24
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MOS大规模集成技术 第二册.rar
资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试（CMOS、半导体、集成电路）->MOS大规模集成技术 第二册.rar
2023-05-04
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MOS大规模集成技术 第一册.rar
资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试（CMOS、半导体、集成电路）->MOS大规模集成技术 第一册.rar
2023-05-10
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用一个增强型的MOS场效应管对AD9850 进行电压控制或对输出电流调幅
This application note will offer a method to voltage controlor amplitude modulate the output cur
2024-05-19
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LDO稳压器高精度电压基准源的分析与设计
超低漏失线性稳压器的技术关键，是基准源模块的设计，在对双极型LDO稳压器进行分析的基础上，提出了对其关键模块基准电压源进行高精度的设计的方案。
2013-12-07
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