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高压输电

  • NIPPON_插板式高压电解电容(RoHS).pdf

    元器件样本专辑 116册 3.03GNIPPON_插板式高压电解电容(RoHS).pdf

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    上传时间: 2014-05-05

    上传用户:时代将军

  • DL T486-2010 高压交流隔离开关和接地开关

    DL T486-2010 高压交流隔离开关和接地开关

    标签: DL T486-2010 高压交流隔离开关和接地开关

    上传时间: 2015-07-04

    上传用户:li123456

  • 高压真空断路器机械状态监测系统研制

    高压真空断路器机械状态监测系统研制,高压真空断路器机械特性的研究,非常宝贵的资料

    标签: 高压真空断路器机械

    上传时间: 2015-10-15

    上传用户:slnny

  • PSCAD实验指导教程

    PSCAD/EMTDC是加拿大马尼托巴高压直流研究中心出品的一款电力系统电磁暂态仿真软件,PSCAD(Power Systems Computer Aided Design)是用户界面,EMTDC(Electromagnetic Transients including DC)是内部程序。 EMTDC最初代表直流暂态,是一套基于软件的电磁暂态模拟程序。Dennis Woodford博士于1976年在加拿大曼尼托巴水电局开发完成了EMTDC的初版,编写这个程序的原因是因为当时现存的研究工具不能够满足曼尼托巴电力局对尼尔逊河高压直流工程进行强有力和灵活的研究的要求。自此之后程序被不断开发,至今已被广泛地应用在电力系统许多类型的模拟研究,其中包括交流研究,雷电过电压和电力电子学研究。EMTDC开始时在大型计算机上使用。然后在1986年被移植到Unix系统和以后的PC机上。 PSCAD代表电力系统计算机辅助设计,PSCAD的开发成功,使得用户能更方便地使用EMTDC进行电力系统分析,使电力系统复杂部分可视化成为可能,而且软件可以作为实时数字仿真器的前置端。可模拟任意大小的交直流系统。PSCAD V1 1988年首先在阿波罗工作站上使用,然后大约在1995年PSCAD V2开始应用。PSCAD V3以PC Windows作为平台,在1999年面世。目前最新版本的是PSCAD V4.2.1。 用户可以通过调用随EMTDC 主程序一起提供的库程序模块或利用用户自己开发的元部件模型有效地组装任何可以想象出的电力系统模型和结构。EMTDC 的威力之一是可以较为简单地模拟复杂电力系统, 包括直流输电系统和其相关的控制系统。 采用 PSCAD/EMTDC 进行的典型模拟研究包括:  一般的交流电力系统电磁暂态研究  直流输电结构和控制  FACTS(灵活交流输电系统)元部件模型  由于故障、断路器操作或雷电冲击引起的电力系统的过电压研究  绝缘配合研究  谐波相互影响研究  静止补偿器研究  非线性控制系统研究  变压器饱和研究, 如铁磁振荡和铁芯饱和不稳定性研究  同步发电机和感应电动机的扭矩效应和自励磁研究  陡前波分析  研究当一台多轴系发电机与串补线路或电力电子设备相互作用时的次同步谐振现象  向孤立负荷送电 电力系统数字仿真实验室使用PSCAD/EMTDC主要进行一般的交流电力系统电磁暂态研究,进行简单和复杂电力系统的故障建模及故障仿真,分析电力系统故障电磁暂态过程。

    标签: PSCAD实验指导教程

    上传时间: 2016-02-16

    上传用户:xixi略

  • 交直流电力系统动态行为分析(徐政)

    改书为徐政老师的交直流电力系统动态行为分析电子版,如有研究高压直流输电、柔性输电的可下载。

    标签: 交直流 电力系统 动态

    上传时间: 2017-04-10

    上传用户:15005935263

  • 纯电动高压系统安全法规

    纯电动车型高压附件系统开发法规,人员触底相关

    标签: 纯电动 系统安全 法规

    上传时间: 2019-06-04

    上传用户:fm5197

  • 磁偏转质谱计高压扫描电源的设计_刘克承

    磁偏转质谱计高压扫描电源的设计_刘克承

    标签: 偏转 质谱 扫描电源

    上传时间: 2019-07-14

    上传用户:chen_ying993

  • 磁偏转质谱计高压扫描电源的设计_刘克承

    磁偏转质谱计高压扫描电源的设计_刘克承

    标签: 偏转 质谱 扫描电源

    上传时间: 2019-07-14

    上传用户:chen_ying993

  • 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用

    本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。 另外, 必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸(MCT) 结构和基极电阻控制晶闸管 (BRT) 结构, 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸(EST), 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断, 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书, 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

    标签: 大功率器件

    上传时间: 2021-11-02

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  • 310V三相高压无刷电机类应用半桥IPM功率模块评估板

    310V三相高压无刷电机类应用半桥IPM功率模块评估板310V三相高压无刷电机类应用半桥IPM功率模块评估板

    标签: ipm 功率模块

    上传时间: 2021-12-26

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