实用电子技术专辑 385册 3.609G四种高压降压DCtoDC转换器.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
开关电源相关专辑 119册 749M一种小型化高压小功率电源的设计.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
元器件样本专辑 116册 3.03GNIPPON_插板式高压电解电容(RoHS).pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
DL T486-2010 高压交流隔离开关和接地开关
标签： DL T486-2010 高压交流隔离开关和接地开关
上传时间： 2015-07-04
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高压真空断路器机械状态监测系统研制，高压真空断路器机械特性的研究，非常宝贵的资料
标签： 高压真空断路器机械
上传时间： 2015-10-15
上传用户：slnny
高压直流输电原理与运行
上传时间： 2017-12-01
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纯电动车型高压附件系统开发法规，人员触底相关
上传时间： 2019-06-04
上传用户：fm5197
磁偏转质谱计高压扫描电源的设计_刘克承
上传时间： 2019-07-14
上传用户：chen_ying993
磁偏转质谱计高压扫描电源的设计_刘克承
上传时间： 2019-07-14
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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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