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通过超临界高压加热器的研制,阐述了制造过程中的管系、外壳、总装等关键工序和制造难点控制,解决了管板组装及管系与外壳套装等工艺难题。

2023-10-25 8 高压包

本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。

2023-05-14 3 高压包