驱动手册

共 67 篇文章
驱动手册 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 67 篇文章,持续更新中。

AN-1064了解AD9548的输入基准监控器

<p> &nbsp;</p> <div> 如AD9548数据手册所述,AD9548的输入端最多可支持八个独立参考时钟信号。八路输入各有一个专用参考监控器,判断输入参考信号的周期是否满足用户要求。图1是参考监控器和必要支持元件的框图。参考监控器测量输入参考信号的周期,并声明信号是过慢还是过快,即表示参考信号有误。该信息保存在参考状态寄存器内(各参考监控器具有用户可读取的专用状态寄存器)。虽然参考

带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流

〈硬件工程师手册〉(华为内参)73页%200.8M%20PDF版

硬件工程师手册

DN494 - 驱动一个低噪声、低失真18位、1.6Msps ADC

<div> LTC&reg;2379-18 是一款 18 位、1.6Msps SAR ADC,具有极高的 SNR (101dB) 和 THD (&ndash;120dB)。该器件还具有一种独特的数字增益压缩功能,因而免除了在 ADC驱动器电路中增设一个负电源的需要。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-13052

PCF8591的AD和DA程序

PCF8591AD和DA驱动程序

AN-835高速ADC测试和评估

<div> 本应用笔记将介绍ADI公司高速转换器部门用来评估高速ADC的特征测试和生产测试方法。本应用笔记仅供参考,不能替代产品数据手册<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-130R11P346227.jpg" style="width: 311px; height: 352px; " />

模拟示波器驱动

东震三号模拟示波器

MT-019 DAC接口基本原理

本教程概述与内置基准电压源、模拟输出、数字输入和时钟驱动器的DAC接口电路相关的 一些重要问题。由于ADC也需要基准电压源和时钟,因此本教程中与这些主题相关的大多 数概念同样适用于ADC。

基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作

基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作

功率MOSFET驱动保护电路方案

分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120314142512R5.jpg" styl

紧凑式高速贴片机XP-142E/XP-143E系统手册

紧凑式高速贴片机XP-142E/XP-143E系统手册

电工安全操作实用技术手册

工控技术

集成运算放大器应用手册.part6

电子爱好者和电子工程师必备资料

TKS系列仿真器用户使用手册

TKS系列仿真器用户使用手册

AD8397轨到轨、高输出电流放大器

<div> AD8397内置两个电压反馈型运算放大器,能够以出色的线性度驱动高负载。共发射极、轨到轨输出级的输出电压能力优于典型射随输出级,驱动25 负载时摆幅可以达到任一供电轨的0.5 V范围以内。低失真、高输出电流和宽输出动态范围使AD8397特别适合要求高负载上大信号摆幅的应用。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/8

FLEX3015模拟量采集模块用户手册-V1.1

热敏电阻温度采集模块,RS485,Modbus协议

mos管门级驱动电阻计算

mos管门级驱动电阻计算

液压传动自学手册

<p> 液压传动系统的组成部分,液压传动图形符号,液压传动的优缺点,液压传动的发展历史。</p>

晶体管代换手册下载

<P>为使本书成为国内目前<BR>  最新、最全、最适用的晶体管<BR>  代换手册,编者根据国内外<BR>  出版的最新资料,在1992年<BR>  最新增订版的基础上,又增<BR>  加了数千种日本晶体管和数<BR>  千种欧州晶体管型号及其代<BR>  换的国内外型号,并且,还介<BR>  绍了美国1985年以前生产<BR>  的3N型场效应管及其代换<BR>  型号。<BR>  本手册介绍

MOS管驱动基础和时间功耗计算

MOS关模型 <P>Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输