驱动工程师

共 64 篇文章
驱动工程师 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 64 篇文章,持续更新中。

电子工程师必备

电子工程师必知:20个模拟电路,用了都说好,入手必备

华为内部讲义

华为内部教材 入职华为必看 工程师必备<span style="white-space:normal;">工程师必备</span>

工程师应该掌握的模拟电路

工程师应该掌握的模拟电路

带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流

MOSFET应用分析

华为工程师培训教材模拟电子共含有上下两册,是个不错的资源! ..

〈硬件工程师手册〉(华为内参)73页%200.8M%20PDF版

硬件工程师手册

DN494 - 驱动一个低噪声、低失真18位、1.6Msps ADC

<div> LTC&reg;2379-18 是一款 18 位、1.6Msps SAR ADC,具有极高的 SNR (101dB) 和 THD (&ndash;120dB)。该器件还具有一种独特的数字增益压缩功能,因而免除了在 ADC驱动器电路中增设一个负电源的需要。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-13052

PCF8591的AD和DA程序

PCF8591AD和DA驱动程序

ADC的九个关键指标

<p> &nbsp;</p> <p>   模拟转换器性能不只依赖分辨率规格</p> <p>   大量的模数转换器(ADC)使人们难以选择最适合某种特定应用的ADC器件。工程师们选择ADC时,通常只注重位数、信噪比(SNR)、谐波性能,但是其它规格也同样重要。本文将介绍ADC器件最易受到忽视的九项规格,并说明它们是如何影响ADC性能的。</p> <p>   1. SNR比分辨率更为重要。</

模拟示波器驱动

东震三号模拟示波器

MT-019 DAC接口基本原理

本教程概述与内置基准电压源、模拟输出、数字输入和时钟驱动器的DAC接口电路相关的 一些重要问题。由于ADC也需要基准电压源和时钟,因此本教程中与这些主题相关的大多 数概念同样适用于ADC。

基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作

基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作

功率MOSFET驱动保护电路方案

分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120314142512R5.jpg" styl

ADC需要考虑的交调失真因素

<p> &nbsp;</p> <div> 交调失真(IMD)是用于衡量放大器、增益模块、混频器和其他射频元件线性度的一项常用指标。二阶和三阶交调截点(IP2和IP3)是这些规格参数的品质因素,以其为基础可以计算不同信号幅度下的失真积。虽然射频工程师们非常熟悉这些规格参数,但当将其用于ADC时往往会产生一些困惑。本教程首先在ADC的框架下对交调失真进行定义,然后指出将IP2和IP3的定义应用于A

集成运算放大器应用手册.part6

电子爱好者和电子工程师必备资料

AD8397轨到轨、高输出电流放大器

<div> AD8397内置两个电压反馈型运算放大器,能够以出色的线性度驱动高负载。共发射极、轨到轨输出级的输出电压能力优于典型射随输出级,驱动25 负载时摆幅可以达到任一供电轨的0.5 V范围以内。低失真、高输出电流和宽输出动态范围使AD8397特别适合要求高负载上大信号摆幅的应用。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/8

电路【最新版】

电子工程师和电子爱好者必备书籍

mos管门级驱动电阻计算

mos管门级驱动电阻计算

硬件工程师笔试及面试题

囊括了模拟电子技术、数字电子技术、单片机原理、MCU、DSP等专业知识,同时搜集了各大名企的面试真题。

MOS管驱动基础和时间功耗计算

MOS关模型 <P>Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输