非均匀采样的一个很大的优点就是它具有抗频率混叠的性能[ ]，首先从均匀采样讨论由采样而引起的频谱混叠现象，在均匀采样和非均匀采样的频谱图对比中讨论两种采样方式引起的不同的频谱混叠现象，从对比中分析非均匀采样方式的优势。从最简单的非均匀采样方法逐步深入到完全随机的非均匀采样方法，研究由于采样方法的改变对数字信号频谱的影响。最后可以看到非均匀采样的方法可以将混叠信号的频谱降低到完全不影响对真实信号的检测。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：baby25825
秒表课程设计，非单片机的，基于74芯片的
上传时间： 2013-11-23
上传用户：whenfly
以双音多频信号为例，通过运用快速傅里叶变换和Hanning窗等数学方法，分析了信号频率，电平和相位之间的关系，推导出了计算非整周期正弦波形信噪比的算法，解决了数字信号处理中非整周期正弦波形信噪比计算精度低下的问题。以C编程语言进行实验，证明了算法的正确性和可重用性，并可极大的提高工作效率。
上传时间： 2014-01-18
上传用户：laomv123
介绍了以AL128 芯片为核心设计的一种将非标准视频显示模式转换为标准电视视频制式的视频模式转换器。对该视频模式转换器的工作原理、硬件构成及设计思路等给以了详细的介绍。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：集美慧
非隔离或隔离式电源驱别
上传时间： 2013-10-27
上传用户：dudu1210004
4_10kV三相干式非晶合金变压器专用技术规范
上传时间： 2013-11-20
上传用户：JamesB
非接触式感应充电电路
上传时间： 2013-11-05
上传用户：cjl42111
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
人们经常需要从旋转部件和其它运动机件上获取各类技术参数。随着电子技术的发展, 非接触测量技术越来越显示其优越性, 虽已在工程领域获得了广泛应用, 但是普遍存在供电问题, 目前非接触供电常用的有四种形式
上传时间： 2013-10-20
上传用户：lepoke
基于超声波技术的非接触测距装置
上传时间： 2013-11-07
上传用户：cylnpy
