为了提高交错并联变换器的性能，对四相交错并联双向DC/DC变换器中不对称耦合电感进行分析，推导出等效稳态电感和等效暂态电感的数学表达式。结合提出的耦合电感结构进行不对称耦合电感对称化研究。通过Saber和3D Maxwell软件进行仿真验证和样机实验，验证了理论分析和仿真结果的正确性。
上传时间： 2013-10-19
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介绍了一种反对称渐变波导微带探针过渡结构，采用高频仿真软件HFSS仿真分析了这个波导微带过渡结构在 W 频段的特性，并对影响过渡性能的几个因素进行了敏感性分析，得出了可供工程应用参考的设计曲线。在全波导带宽内，实现了插入损耗小于0.088 dB，回波损耗大于27 dB。该结构具有宽频带、结构简单和易加工等优点，可广泛用于毫米波固态电路系统中。
上传时间： 2013-11-13
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非隔离或隔离式电源驱别
上传时间： 2013-10-27
上传用户：dudu1210004
4_10kV三相干式非晶合金变压器专用技术规范
上传时间： 2013-11-20
上传用户：JamesB
非接触式感应充电电路
上传时间： 2013-11-05
上传用户：cjl42111
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
人们经常需要从旋转部件和其它运动机件上获取各类技术参数。随着电子技术的发展, 非接触测量技术越来越显示其优越性, 虽已在工程领域获得了广泛应用, 但是普遍存在供电问题, 目前非接触供电常用的有四种形式
上传时间： 2013-10-20
上传用户：lepoke
小电流接地选线装置的应用在我国10~35kV电网中，普遍采用中性点不接地或经消弧线圈接地的方式，这两种方式统称为小电流接地系统。小电流接地系统单相接地故障是电网最常见的故障之一，当发生单相接地故障时，虽然在高压侧发生了故障相电压降低和非故障相电压升高，引起中性点位移，但线电压仍然是对称的且故障电流小，对供电设备不致造成危害，用户仍可继续工作。但单相接地故障有可能发展成为两相接地短路故障或其他形式的故障，为保证设备及人员安全，应及时找出接地故障线路以便迅速处理。对于单相接地故障的检测，传统的方法是采用副二次绕组接成开口三角形的三相电压互感进行检测。为了寻找故障线路，值班员通常采取轮流拉闸的办法来确定具体的故障线路。这种方法，会给安全运行及用户的生产造成一定的影响，降低了用户的供电可靠性。随着微机技术的发展，出现了微机型的小电流接地选线装置，这种装置可以在不对线路拉闸停电的情况下找到故障线路，因此与传统检测方案相比有很大的优越性。
上传时间： 2013-12-18
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基于超声波技术的非接触测距装置
上传时间： 2013-11-07
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卡尔曼滤波（非矩阵）参考程序
上传时间： 2013-11-18
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