📚 霍尔效应技术资料

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霍尔效应是电磁效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(E.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。[1]当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在半导体的两端产生电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。

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电机霍尔元件位置自动检测的方法,比较好的一篇文章,向大家推荐...

👤 shjgzh ⬇️ 3 次下载

截断效应,演示对直流信号进行截断后,信号频谱的变化,在演示程序中,图形的计算是由已知的时域和频域表达式计算。...

👤 Yukiseop ⬇️ 167 次下载

DH45L是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC,元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器,开漏极输出。与DH481周期性周期检测磁场不同,DH45L连续检测环境磁场强度,响应速度快,但功耗较大(2mA)。DH45L不区分N极和S极,对N极...

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DH471一款基于混合信号的全极性霍尔效应传感器。平均功耗5uA,它采用先进的斩波稳定技术,提供精确、稳定的磁性开关点。它由反向电压保护器、电压调整器,霍尔电压发生器、信号放大器,史密特触发器和集电及开路的输出级组成。它是一种双磁极工作的磁敏电路,适合于矩形或者柱形磁体下工作。工作温度范围可以在:-...

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