DM11C 是专为LED 显示应用所设计的沈入电流式恒流驱动芯片。内建移位缓存器，数据锁存器，以及恒流电路组件于硅CMOS 芯片上。8 个输出通道的电流可由一外挂电阻调整。内建开/短路侦测电路组件帮助使用者侦测LED 异常(开路与短路)。系统可藉由读回串行输出端的侦测数据与原始数据进行比对以判定哪一通道发生异常。过温断电功能则可保护芯片避免在高温环境使用下而毁损
上传时间： 2013-11-09
上传用户：zw380105939
传统电源电路检修 二、开关电源电路检修 •首先应检查F601、F602两个保险丝。 •若F601或F602熔断，有可能是保险丝本身质量不好，但换上新保险丝后再次熔断，说明电路有电流过大故障. •若F601再次熔断，有可能是整流管V601、V602击穿。 •若F602再次熔断，有可能是稳压输出12V的负载过流，也可能是调整管V603、V605的c-e极击穿。 •若保险丝好，再检查18V直流电压。无18V电压，则有可能是电源变压器绕组开路、或电源开关S601接触不良，或V601、V602整流管都开路。 若18V正常，则无12V输出电压的原因可能是R601、R602开路，C604、C605击穿，或V603、V605开路
上传时间： 2013-11-18
上传用户：蠢蠢66
采用双极型开关管的逆变器，基极驱动电流基本上为开关电流的1/β，因此大电流开关电路必须采用多级放大，不仅使电路复杂化，可靠性也变差而且随着输出功率的增大，开关管驱动电流需大于集电极电流的1/β，致使普通驱动IC无法直接驱动。虽说采用多级放大可以达到目的，但是波形失真却明显增大，从而导致开关管的导通/截止损耗也增大。目前解决大功率逆变电源及UPS的驱动方案，大多采用MOS FET管作开关器件。
上传时间： 2013-10-20
上传用户：zhaoq123
太阳能蓄电池与光照时间的关系 例如:有一块单晶硅电池的组件,最大的输出功率Pm(额定功率)为25W,峰值电压(额定电压)Ump为17.2V,峰值电流(额定电流)为1.45A,开路电压为21V,短路电流为Isc为1.5A,某地区有效光照时间为12小时,求太阳能电池一天的发电量和所需的蓄电池的容量。 已知:Pm=25w ,h=12h ,U=17.2V ,太阳能电池的发电效率为:u=0.7,蓄电池的补偿值为n=1.4 太阳能电池的发电量:M=Pm×h×u=25×12×0.7=210W 按上诉公式:C=Ph/U=25×12/17.2=17.44Ah 那么实际的蓄电池的有效容量要在C=17.44/1.40=12.46Ah以上 所以在实际中我们可以选择14Ah左右容量的蓄电池。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：life840315
基于槽式聚光热电联供系统，深入分析晶硅电池阵列和砷化镓电池阵列在高倍聚光下的输出特性及输出功率的影响因素+ 研究结果表明，聚光光强下砷化镓电池阵列输出性能优于晶硅电池阵列，高光强会导致光伏电池禁带宽度变窄，短路电流成倍增加，增加输出功率，但同时耗尽层复合率变大，开路电压降低，制约阵列的输出功率；高光强还引起电池温度升高，电池阵列串联内阻增加+ 分析表明聚光作用下电池阵列串联内阻对输出功率影响巨大，串联内阻从&!增加!!，四种电池阵列输出功率分别损失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +
上传时间： 2013-10-18
上传用户：赵一霞a
当光照较弱时漏电电阻对光电流的影响较小，而对开路电压的影响较大 当光照较强时，二极管电流远大于漏电电流，此时并联电阻对光电池影响较小，串联电阻对开路电压机会没有影响，但对短路电流影响很大。 所以要制备并联电阻较大但串联电阻较小的光电池，提高其填充因子FF。 砷化镓电池的旁路电阻大于1K，对输出特情基本没有影响，当总串联电阻增加到5时，电池的转换效率就要下降30%，可见串联电阻对砷化镓太阳能电池的影响是较大的，最近对于硅电池，要求实用化的产品的串联电阻在0.5以下。 影响太阳能电池转换效率的一些因素 主要以硅电池为例 光生电流的光学损失，有三种：
上传时间： 2014-01-21
上传用户：离殇
戴维南定理 内容：任何一个线性一端口电路N，对外电路来说，可以用一个独立电压源Uo和电阻Ro的串联组合来等效替代;其中电压Uo等于端口开路电压，电阻Ro等于一端口电路中所有独立源置零后从端口处看进去的等效电阻。
上传时间： 2013-10-29
上传用户：hui626493
STM32，5110液晶显示声纳探鱼器200KHz，带电路图，精确到厘米 MC34063升压，大声压发射，实际板子上滤波电路没要（电路图上的滤波电阻电容电感没焊，开路或者短路）。一般200KHz的换能器在水里面的耦合比较好，在空气中发射出来的（或者接收的）强度很低。 用的MOSFET Relay，contact和release时间都可以做到很小，不过选的是比较低端器件，所以最近测量距离为70cm。 开源啦开源啦 架构为状态机+任务流，Task都是放在函数指针数组里面的 Task分两种，routine的和错误处理的 5110液晶的SPI用的DMA 基本上STM32和C语言高阶的特征都用上了，稍微修改直接可以商用 Open Issue 偶尔会hardware fault或者memory fault，然后watchdog重启， 应该比较好解决，仔细检查下就好 有什么问题代码的file comment里面有我联系地址 有能搞到好的器件也请知会我，多谢了 接下来准备把它装到船模上，用以前四轴的那套东西，就看什么时候有时间了
上传时间： 2013-10-28
上传用户：songyue1991
LED旋转显示器时基于视觉暂留原理，开发的一种旋转式LED显示屏。其在具有一定转速地载体上安装16个LED发光器件，各LED发光管等间距排位一条直线，随着旋转速度的加快，在计算机软件精确的时序控制下，不断扫描出预设的文字，图案等。使用一个光耦（U型槽的红外对管）作为定位传感器，当旋转一周时，挡光板遮挡光源，光敏三极管的集电极输出高电平，当离开挡光板时，集电极再次输出低电平，从而给单片机一个下降沿的跳变型号，产生一个中断，从而更新显示。供电部分，因为整个装置是在不停的高速旋转当中，所以我们做了一个简单的电刷装置，把220V的交流电通过变压器变成12V的交流电，再由桥式整流电路，和滤波电路，变为平滑的直流电，最后通过7805芯片输出我们需要的5V直流电源，通过电刷把电源和指针板上的单片机连接为其供电。而旋转载体因为需要12V的电压源，所以采用分别供电的方式。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：时代电子小智
MCU(单片机)对可控硅的控制:交流市电控制――ＭＣＵ对可控硅的控制 郭江辛 07-23-03在用可控硅对交流市电控制中，主要注意以下几个方面：一， 同步信号 （弄不好都会产生不均匀的斩波，控制白炽灯表现为灯闪）1) 清楚同步信号在交流周期中的位置,最好在交流零点选取.在一些阻容降压对MCU 供电电路中,最好直接在交流电源两端取同步信号（过零点）,以避免计算阻容产生的象移(PHASE SHIFT)2) 同步信号要稳定二， 控制信号 （弄不好则可控硅不能通，或一直通）1） 可控硅断路时，可控硅控制极（GATE）最好是开路，没有开极的MCU可加如下电路：
上传时间： 2014-05-05
上传用户：comer1123
