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本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(o...

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集成电路电磁骚扰测试方法:摘要:本文分析了高频数字集成电路产生电磁发射的原因及其电磁发射的测量原理,简要说明了集成电路电磁骚扰的几种测试方法及其理论依据,介绍了法拉第笼法与磁场探头法的...

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