2）主攻“仪器仪表类”赛题方向的同学还可以发挥自己的想象力，考虑一下： ① 还有哪些实验室的仪器仪表没有在赛题中没有出现过？如阻抗分析仪、网络分析仪等，在培训过程中事先训练一下。 ② 已经出现过的一些赛题，考虑一下哪些可能会在放大器、高频等赛题中出现？ ③ 已经出现过的一些赛题，考虑一下哪些可能在指标和功能方面会有哪些变化？如简易电阻、电容和电感测试仪等赛题。 ④ 已经出现过的一些赛题，考虑一下哪些可能在制作要求方面会有哪些变化？
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上传时间： 2013-06-14
上传用户：love1314
本模块的脉冲功率发射电路主要集成了超声传感器的前置功率放大驱动电路，它与匹配变压器相连后可直接驱动超声换能器产生超声波。通过改变MCU输出脉冲的频率，该驱动模块可以产生从20KHz～2MHz 的频率，这个频段基本涵盖了目前常见的超声波应用频段。模块的供电范围为12V～24V，工作温度为工业级－40～+85oC，输出脉冲功率可调，最高可达300w，输出阻抗为25mΩ。本模块中的超声脉冲驱动电路基本可以满足目前国内所有超声脉冲功率发射的常规应用要求。接收部分电路主要提供的对接收到的信号进行滤波放大，可根据不同的应用需要调整接收部分的滤波频带和放大倍数，它的输入噪声在输入信号频率为500kHz 的时候可低至50uV，对于接收信号特别微弱的应用场合，如超声波气体流量计和超声物位计中将有良好的表现。
上传时间： 2013-06-19
上传用户：zmy123
关于 ‘‘地’’ 电路中参考点－零电位点，称为地点。开关电源中的‘‘地’’：： 公共端 (common)(common)－输出与输入参考点。例如－PFCPFC与后继变换器输入端的公共端。 电路中的地 (ground(ground--GND)GND)－所有电路共用参考－点。如辅助电源与PFCPFC及DC/DCDC/DC公共端。 大地 (earth(earth--E)电网供电设备通常以大地EE作为零电位。三相输配电三相中点接大地EE，同时引出中，线NN。 接地阻抗很小的大面积 ‘‘地’’称为地平面(Ground plane(plane)。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：1079836864
一般在选用共模电感的时候重点注意以下几个参数： 1) Impedance 表示器件在100MHz 时最大的阻抗值。一般在应用共模电感时候， 都是以此值作为选用的重点参考。 2) Rated Current 表示器件应用时候的最大额定电流。在选用的时候，这个参 数作为此重点，电路工作电流一定要小于器件额定工作电流，不然容易烧毁器件。 3) 至于其它参数作为参考。
标签： 共模电感
上传时间： 2013-07-30
上传用户：er1219
TDA1521是荷兰飞利浦公司设计的低失真度及高稳度的芯片。 其中的参数为：TDA1521在电压为±16V、阻抗为8Ω时，输出功率为2×15W，此时的失真仅为0.5％。输入阻抗20KΩ, 输入灵敏度600mV,信噪比达到85dB。其电路设有等待、静噪状态，具有过热保护，低失调电压高纹波抑制，而且热阻极低，具有极佳的高频解析力和低频力度。其音色通透纯正，低音力度丰满厚实，高音清亮明快，很有电子管的韵味。
上传时间： 2013-07-04
上传用户：myworkpost
多数电磁干扰滤波器必须使用共模电感器。由于共模电感器在很宽的 频率范围内阻抗很高，所以可抑制高频开关电源产生的高频噪声。
上传时间： 2013-07-19
上传用户：fzy309228829
摘要:为改善传统EMI 滤波器的滤波性能,分析并采用了合成扼流圈来替代传统分立扼流圈,并根据滤 波器阻抗失配原理,通过分析L ISN 网络与噪声源的阻抗特性,分别对共差模等效电路进行分析与设计,提出 了基于合成扼流圈的开关电源EMI 滤波器设计方法。试验结果证明,此方法是有效的,并已成功地应用在燃 料电池轿车用DC/ DC 变换器的控制电路板设计中。 关键词:开关电源;电磁干扰;合成扼流圈;共模电感
上传时间： 2013-06-09
上传用户：万有引力
地线造成电磁干扰的主要原因是地线存在阻抗，当电流流过地线时，会在地线上产生电压，这就是地线噪声。在这个电压的驱动下，会产生地线环路电流，形成地环路干扰。当两个电路共用一段地线时，会形成公共阻抗耦合。 解决地环路干扰的方法有切断地环路，增加地环路的阻抗，使用平衡电路等。解决公共阻抗耦合的方法是减小公共地线部分的阻抗，或采用并联单点接地，彻底消除公共阻抗。
上传时间： 2013-07-31
上传用户：时代电子小智
主算电子电路阻抗值,为PCB工厂控制阻抗计算用，本软件可使用到2038年,值得下载
上传时间： 2013-06-01
上传用户：dhb717
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：panpanpan
