“闪存(Flash)”这一名称
“闪存(Flash)”这一名称,是源于该存储器件只需单步操作即能擦除其中所有内容的能力。军用装备很早就从这一能力中获益,军用装备都包含机密信息,一旦即将落入敌手,就应该迅速予以破坏。与EEPROM类似,Flash的数据存储也是通过向其晶体管栅区存入电荷来实现。电荷在栅上的存储是通过注入一定量的电荷、...
“闪存(Flash)”这一名称,是源于该存储器件只需单步操作即能擦除其中所有内容的能力。军用装备很早就从这一能力中获益,军用装备都包含机密信息,一旦即将落入敌手,就应该迅速予以破坏。与EEPROM类似,Flash的数据存储也是通过向其晶体管栅区存入电荷来实现。电荷在栅上的存储是通过注入一定量的电荷、...
利用MAX II CPLD 实现 NAND 闪存接口...
利用MAX II CPLD 实现 NAND 闪存接口...
· 摘要: K9K2G08UOM是三星公司的大容量闪存芯片,它的单片容量高达256MB.文中介绍了K9K2G08U0M的特性和使用方法,重点说明了与TI的TMS320F2812的硬件接口和软件编程. ...
片上闪存 FLASH...