闪存控制
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单键遥控码学习控制器遥控数据读取 INT0中断程序 高电平存TMPHADDR为首址RAM 低电平存TMPLADDR为首址RAM
2014-01-17
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5 V 引导块闪速存储器28F200B5, 28F004,400B5 28F800B5 (x8,x16) 应用技术资料更新(1999)
The 28F200B5, 28F004B5/400B5 and 28F800B5 may contain design defects or errors known aserrata wh
2023-11-15
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5 V自动引导块闪速存储器AB28F200BR, AB28F400BR应用技术资料更新(1999 年)
The AB28F200BR or AB28F400BR may contain design defects or errors known as errata.Characterized
2024-01-08
1
5 V可批擦除的闪速存储器28F020(x8)特性资料更新(1999年2月)
The 28F020 may contain design defects or errors known as errata which may cause the productto de
2024-01-09
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