闩锁效应
闩锁效应(Latch-up)是CMOS集成电路中一个重要的问题,这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。
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型号厂家用途构造沟道方式 v111(V)区分ixing(A)pdpch(W)waixingIRF48 IR N 60 50 190 TO-220ABIRF024 IR N 60 17
2024-01-24
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HID 灯整流效应的研究
多数高强度气体放电(HID)灯在寿命后期均表现出整流效应,这将导致镇流器及其相关部件过载,必须采取适当的保护措施确保在整流效应出现时照明系统安全。 本文建立了新型整流效应模拟实验电路, 并分析了HID
2024-04-08
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