本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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内容摘要电力电子为人类做出了不可磨灭的贡献，因此研究电力电子件是为时代所需。本次课程设计为三相半波整流电路的设计，本组选择方案为三相半波可控整流电路的设计。主要分为三大模块：主电路一触发电路和保护电路，其中触发电路为集成电路。所选器件基本为电阻-电感和门极可关断晶闸管（GTO）等。由于当负载为电阻和电阻电感时的电路的工作情况不同，所以电路中对它们各自工作的情况进行系统而详细的分析。设计中对电路的工作原理以及电路器件的数计算等均有涉及。根据计算的结果，又遵循经济安全的原则，设计中对器件的型号做出了最后的选择。由于时间仓促，难免有些差错，望批评指正。1设计要求（1）输入电压：三相交流380V、5012（2）输出功率：2KW（3）用集成电路组成触发电路（4）负载性质：电阻、电阻电感（5）对电路进行设计计算说明（6）计算所用元器件型号参数2整流电路的分类及案选择整流电路将交流电变为直流电，应用十分广泛，电路形式多种多样，各具特色。可以从多种角度对整流电路进行分类：按电路结构可分为桥式电路和零式电路；按组成的器件可分为不可控半控一全控三种；按交流输入相数可分为单相电路和多相电路；按电压器二次侧电流的方向是单向或双向，又分为单拍和双拍电路。鉴于本课程设计，需要三相半波整流电路，可有两种方案选择：方案1，三相半波不可控整流电路；方案2，三相半波可控整流电路。对于三相半波不可控整流电路，电路中采用了三个二极管整流，此电路不需要触发电路，同时负载电压不可调，而三相半波可控整流电路，电路中采用三个晶闸管整流，电路中有专门的触发电路，触发电路适时的给予脉冲，可调节输出电压，可适合不同电压的要求，并且直流脉动小，可承受整流负载较大，常见使用等优点，所以本次课程设计选择三相半波可控整流电路，即方案2，其大体图形如图（1）。
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