一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变...
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查看全部1052个资源 »静电传感器电极与屏蔽罩间电容值的计算
在静电传感器测量气/固两相流参数的基础上，以J.B.Gajewski教授的成果为基础，对电容的计算进行了研究。将静电传感器电极与屏蔽罩间的电容cp看作圆柱型电容，对其建立的静电传感器数学模型中的感应电极与屏蔽罩间电容值进行探讨，并得到了这个电容的计算式。 ...
Ag_AgCl电极的制备及电化学性能
运用XRD、SEM、eDAQ电化学工作站和超低噪声放大器,对样品的相组成、显微形貌及电化学性能进行表征。结果表明:所制备的Ag/AgCl电极外观形貌好,表面缺陷少,AgCl和Ag粉混合均匀。 ...
锂离子正极电池材料技术及工艺简述
锂离子正极电池材料 1. 目前主要的技术工艺制法： 1.1. 高温固相反应法：高温固相反应法是以FeC2O4·2H2O，(NH4)H2PO4，Li2CO3等为原料，按LiFePO4的化学组成配料研磨混合均匀，在惰性气氛（如Ar，N2）的保护下高温焙烧反应制得。目...
晶片wafer 平面工艺详细介绍
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