铜箔层

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采用溅射技术, 对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化, 获得了电阻温度系数TCR≤±10×10- 6ö℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础, 同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器

2023-12-26 5 铜箔层

基于Protel99SE设计四层板及内电层分割方案,适用于高速电路布局与电源完整性优化。包含实际项目中验证的布线技巧和层分配策略,可直接用于生产环境的PCB设计。

2026-01-30 2 铜箔层