📚 铁电随机存储器技术资料

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💻 源代码：16146

铁电随机存储器（FRAM）结合了RAM的快速读写能力和ROM的非易失性特点，成为数据存储领域的革新者。它在汽车电子、智能卡及工业控制等多个领域展现出卓越性能，尤其适合需要高可靠性与长寿命存储解决方案的应用场景。通过深入研究本标签下的5739个资源，工程师们可以全面掌握FRAM的设计原理、最新技术进展及其在实际项目中的应用案例，加速产品创新步伐。

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FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器（FRAM）具有非易失性

FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器（FRAM）具有非易失性，并且可以象RAM一样快速读写。数据在掉电后可以保存10年，同时消除由EEPROM和其他非易失性存储器导致的复杂性，开销和系统级别可靠性问题。...

📅 2016-09-26 👤 songrui

256 256B L256 FRAM

fm1808中文资料描述 FM1808是用先进的铁电技术制造的 256K位的非易失性的记忆体铁电随机存储器 FRAM 是一种具有非易失性并且可以象RAM一样快速读写但它没有B

fm1808中文资料描述 FM1808是用先进的铁电技术制造的 256K位的非易失性的记忆体铁电随机存储器 FRAM 是一种具有非易失性并且可以象RAM一样快速读写但它没有BBSRAM模组系统的设计复杂性缺点和相关的可靠性问题数据在掉电可以保存10年高速写以及...

📅 2014-01-11 👤 zhangjinzj

1808 256K FRAM RAM

[AN225301]使用Excelon LP SPI F-RAM低功耗模式进行设计

[AN225301]使用Excelon LP SPI F-RAM低功耗模式进行设计铁电随机存储器（F-RAM），相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器（F-RAM）具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器包括静态随机存取存储器（SRAM）和动...

📅 2022-06-25 👤 20125101110

铁电随机存储器 F-RAM