那么
共 9 篇文章
那么 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 9 篇文章，持续更新中。
COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下：<br />
对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，R
模块时代之ADI实验室电路
“半导体厂商越来越倾向于提供一揽子的解决方案，用以帮助客户以最快的速度和最低的研发成本推出新产品，一个典型的例子就是“山寨手机”，但手机毕竟是高度集成的数字化产品，那么模拟电路的应用是否也可以走同样的路呢？看来已经有厂家在这么做了，ADI实验室电路的推出就是解决模拟电路/模拟－数字混合电路应用的一揽子解决方案。”
电子学名词介绍
电子学名词<BR>1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。<BR>2、 电阻的温
信号完整性研究
如果你发现，以前低速时代积累的设计经验现在似乎都不灵了，同样的设计，以前 没问题，可是现在却无法工作，那么恭喜你，你碰到了硬件设计中最核心的问题：信号完整性。早一天遇到，对你来说是好事。 这个资料，短小精悍，包含了高速数字信号设计中信号完整性方面的所有知识，对于初学者来说是一份不可多得的入门经典；
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
50个典型电路分析
在电子制作和设计，经常会用到不同参数的电感线圈，这些线圈的电感量不像电阻那么容易测量，有些数字万用表虽有电感测量挡，但测量范围很有限。该电路以谐振方法测量电感值，测量下限可达10nH，测量范围很宽，能满足正常情况下的电感量测量，电路结构简单，工作可靠稳定，适合于爱好者制作。<br />
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MOS管工作原理讲解
设计了那么多的电路，最基本的你知道么
将运算放大器连接至高速DAC
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介绍了一款不要求负参考电压 (VREF) 的电流源 DAC/运算放大器接口。尽管该建议电路设计提供了一款较好的有效解决方案，但必须注意的是：如果 DAC 的最大兼容电压作为运算放大器输入 (VDAC+) 正端的设计目标，则负端 (VDAC–) 的 DAC 电压将会违反最大兼容输出电压，因为存在最初并不那么明显的偏置。下面的讨论，将对出现这种偏置的原因进行解释，并提出一种解
针对高速应用的电流回授运算放大器
讯号路径设计讲座(9)针对高速应用的电流回授运算放大器<BR>电流回授运算放大器架构已成为各类应用的主要解决方案。该放大器架构具有很多优势，并且几乎可实施于任何需要运算放大器的应用当中。<BR>电流回授放大器没有基本的增益频宽产品的局限，随着讯号振幅的增加，而频宽损耗依然很小就证明了这一点。由于大讯号具有极小的失真，所以在很高的频率情况下这些放大器都具有极佳的线性度。电流回授放大器在很宽的增益范围