通孔结构
共 96 篇文章
通孔结构 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 96 篇文章，持续更新中。
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
二阶有源低通滤波电路分析
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设计一种压控电压源型二阶有源低通滤波电路,并利用Multisim10仿真软件对电路的频率特性、特征参量等进行了仿真分析,仿真结果与理论设计一致,为有源滤波器的电路设计提供了EDA手段和依据。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12020Q5032U43.jpg" style="width: 381p
ADIS16334安装_机械设计指南和示例
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ADIS16334是一款薄型、完全校准的MEMS惯性测量单元(IMU)。图1为该封装的顶视图，其中包括四个安装孔，配备嵌入式安装架，有助于控制附加硬件的整体高度。安装孔为M2 × 0.4 mm或2至56个机械螺丝提供了足够的间隙。<br />
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CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．
一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法
为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径
16位高速模数转换模块的设计及其动态性能测试
本文结合研究所科研项目需要，基于16 位高速ADC 芯片LTC2204，设计了一种满足课题要求的高速度高性能的16 位模数转换板卡方案。该方案中的输入电路和时钟电路采用差分结构，输出电路采用锁存器隔离结构，电源电路采用了较好的去耦措施，并且注重了板卡接地设计，使其具有抗噪声干扰能力强、动态性能好、易实现的特点。<br />
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机电设计与自动化
－机构学与特种机器人（检查、维护、操作）<BR>－高速运动机构与结构的动态设计技术<BR>－精密定位控制技术与测量、检测技术<BR>－机器视觉<BR>－复杂机电系统工程设计技术
COOLMOS__ICE2A系列的应用研究
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由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其优点是：用它做开关电源，无需加散热器，在通用电网即可输出20～50W 的功率；保护功能齐全；电路结构简单；能自动降低空载时的工作频率，从而降低待机状态的损耗，故在中小功率开关电源中有着广泛的应用前景。<br />
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Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo
无功功率自动补偿控制器
1) 全数字化设计，交流采样，人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示，数字输入。 4) 电容器控制方案支持
基于Multisim的高通滤波器的设计与仿真分析
<span id="LbZY">高通滤波为实现高频信号能正常通过，而低于设定临界值的低频信号则被阻隔、减弱。但是阻隔、减弱的幅度则会依据不同的频率以及不同的滤波程序而改变。文中阐述了对电压转移函数推导分析及电路性能的要求，并利用Multisim仿真软件对其频幅特性的分析进行。<br />
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非理想运放构建的低通滤波电路优化设计
<span id="LbZY">分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响，提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法，实验结果表明了该方法的有效性。<br />
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TE01模介质谐振腔体滤波器的设计
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本文以介质谐振器为起始，研究了介质谐振腔体滤波器的设计。文章首先介绍了介质谐振器基本的工作原理，围绕模式分离与Q值提高研究了实际介质腔体滤波器中常用的工作在TE01模的介质谐振器的基本特性，并在此基础上提出了一种新的介质谐振器结构，进一步提高介质谐振器模式分离度的同时，也提高了主模的品质因数。
二极管抽运调Q固体激光器的设计方法研究
通过对速率方程的数值求解,得到二极管泵浦调<em>Q</em>固体激光器的性能参数,即由激光器的结构参数和泵浦参数,求解出激光器的输出参数。然后将其求解得到的输出与设计要求的激光器输出进行比较,由此对输入的结构参数和泵浦参数进行反复调整,直至最终输出参数满足设计要求的误差.<br />
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电感和磁珠的区别及应用场合和作用
<P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT face=宋体>磁珠由氧磁体组成，电感由磁心和线圈组成，磁珠把交流信号转化为热能，电感把交流存储起来，缓慢的释放出去。<p></p></FONT></P>
<P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT fa
5-12GHz新型复合管宽带功率放大器设计
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采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5～12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动<0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12
LCD工艺生产介绍及罗升横河DD马达在LCD玻璃划片机的应用
摘要：本文介绍了LCD生产工艺流程、玻璃划片机的构架，技术特点，以及罗升横河DD马达的结构特点、适合LCD玻璃激光划片机应用。展望了LCD设备在国内的发展方向。<BR>关键字：罗升横河DD马达、高精度、高刚性、划片机、LCD
2012TI电子设计大赛——微弱信号检测装置
微弱信号检测装置<br />
四川理工学院 刘鹏飞、梁天德、曾学明<br />
摘要：<br />
本设计以TI的Launch Pad为核心板，采用锁相放大技术设计并制作了一套微弱信号检测装置，用以检测在强噪声背景下已知频率微弱正弦波信号的幅度值，并在液晶屏上数字显示出所测信号相应的幅度值。实验结果显示其抗干扰能力强，测量精度高。<br />
关键词：强噪声；微弱信号；锁相放大
高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计
<span id="LbZY">基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺，设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器，采用最大电流选择电路作为输入级，AB类结构作为输出级。通过cadence仿真，其输入输出均能达到轨到轨，整个电路工作在3 V电源电压下，静态功耗仅为0.206 mW，驱动10pF的容性负载时，增益高达100.4 dB，单位增益带宽约为4.2 MHz，相位裕度为63