逐渐
共 2 篇文章
逐渐 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 2 篇文章，持续更新中。
STD标准中信号模型同步和门控机制研究
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">随着对IEEE1641标准研究的逐渐深入，信号的构建成为了研究重点。对信号模型进行同步和门控控制，可以影响到TSF（测试信号框架）模型的输出，从而达到控制
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区