砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路.pdf
上传时间： 2022-01-07
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Motorola 集成电路应用技术丛书 TMOS功率场效应晶体管原理及应用.pdf
上传时间： 2022-01-07
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VMOS功率场效应晶体管及其应用.pdf
上传时间： 2022-01-09
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金属一氧化物一半导体场效应晶体管电路设计.pdf
标签： 场效应晶体管
上传时间： 2022-01-09
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结型场效应晶体管 原理与应用.pdf结型场效应晶体管 原理与应用.pdf
标签： 晶体管
上传时间： 2022-01-10
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知识产权保护水平对高科技企业资本结构影响研究-基于信息不对称的中介效应分析-李莉这是一份非常不错的资料，欢迎下载，希望对您有帮助！
标签： 知识产权保护
上传时间： 2022-01-17
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在选用地球同步轨道卫星、浮空气球平台等相对地面静止的平台对某一区域进行长时间定点凝视高分辨遥感成像时，传统的微波凝视成像，由于横向分辨率受限于天线孔径，分辨率不高，SAR和ISAR能够获得横向上的高分辨但是二者横向分辨率的获得依赖于雷达与目标的相对运动，限制了其在上述场合的应用。因此探索一种能够实现凝视条件下的高分辨成像方法是十分必要的本文研究了一种全新的微波凝视成像方法—基于时空随机辐射场的微波凝视成像方法，进行了高分辨成像的初步探索，在理论上基于时空随机辐射场的微波凝视成像方法获得的空间分辨率可以突破天线孔径的限制，大大提高了分辨率首先论文研究了基于时空随机辐射场的微波凝视成像新方法的基本原理提出时空两维随机分布的辐射场是实现高分辨微波凝视成像的前提：分析了在时空随机辐射场作用下，目标信息提取与解耦的方法：将接收到的散射回波和与之相对应的时空随机辐射场进行强度关联处理其次论文详细讨论了基于时空随机辐射场的微波凝视成像的成像过程，建立了从信号产生，辐射，散射，接收到关联处理的成像模型。深入分析了成像过程中信号的相关变化：从两个过程步建立了时空随机辐射场与辐射源的关系的模型：（1）推导了辐射源与时空随机分布口面场的关系，（2）建立了口面场经空间传播后的时空随机辐射场的数学模型：推导了随机辐射场下的散射场表达式：提出了微波强度关联为基于时空随机辐射场下的目标信息提取以及解的方法最后论文研究了基于时空随机辐射场的微波凝视成像中随机辐射源的特性。详细讨论了辐射源分别辐射理想的随机信号，带限随机信号下时空随机特性：分析了辐射源的空间构型（辐射源的个数和辐射源的口径）对辐射场时空随机性的影响：从整个成像的角度，推导了随机辐射源的参数对基于时空随机辐射场的微波凝视成像的影响。
标签： 辐射场
上传时间： 2022-03-14
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MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降）
标签： MOS管
上传时间： 2022-03-20
上传用户：得之我幸78
场效应管基础知识，有需要的可以参考！
标签： 场效应管
上传时间： 2022-04-16
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MOSFET(MOS场效应管)工作原理，有需要的可以参考！
上传时间： 2022-04-19
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