跨层
共 16 篇文章
跨层 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 16 篇文章，持续更新中。
什么是超电解电容器
什么是超级电容器? <BR><BR>◆ 超级电容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫双电层电容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、黄金电容、法拉电容，通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件，但在其储能的过程并不发生化学反应，这种储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。 <BR><BR>◆ 超级电容器可以被
x电容和y电容介绍
X电容是指跨于L-N之间的电容器， Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。(L=Line, N=Neutral, G=Ground).
COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下：<br />
对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，R
SIMATIC逻辑堆栈指令
9.16 SIMATIC 逻辑堆栈指令<BR>栈装载与 (ALD)<BR>ALD 指令对堆栈中的第一层和第二层的值进行逻辑与操作结<BR>果放入栈顶执行完 ALD 指令后堆栈深度减 1<BR>操作数 无<BR>栈装载或 (OLD)<BR>OLD 指令对堆栈中的第一层和第二层的值进行逻辑或操作<BR>结果放入栈顶执行完 OLD 指令后堆栈深度减 1<BR>操作数 无<BR>逻辑推入栈<BR>LPS
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
SIMATIC WinCC V6.0 SP3 实现工厂智能的
<P>SIMATIC WinCC V6.0 SP3 增加了一些重要的系统功能，可通过工厂智能选<BR>件，实现过程可视化和过程优化：<BR>l 数据评估功能实现在线分析<BR>- 分析过程值归档的统计函数<BR>- 曲线线条宽度、工具提示以及对数形式表示都可自由组态<BR>- 消息顺序列表可以按栏标题<BR>进行分类<BR>l WinCC/Web Navigator V6.1<BR>- 基本过程控
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
ADC中精确度与分辨率认识
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ADC制造商在数据手册中定义ADC性能的方式令人困惑，并且可能会在应用开发中导致错误的推断。最大的困惑也许就是“分辨率”和“精确度”了——即Resolution和Accuracy，这是两个不同的参数，却经常被混用，但事实上，分辨率并不能代表精确度，反之亦然。本文提出并解释了ADC&
飞行模拟器可扩展数字量输出系统的设计与实现
<span id="LbZY">控制某型飞机模拟座舱中的Led、继电器、小电流元件，满足易于扩充规模的工程需求，采用充分利用元器件特性的方法，使用一种可扩展数字量输出系统建立开出通道，在电路层预留扩充接口，实现座舱灯光信号、电路状态切换、外部设备数控的功能。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1306251G941
高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计
<span id="LbZY">基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺，设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器，采用最大电流选择电路作为输入级，AB类结构作为输出级。通过cadence仿真，其输入输出均能达到轨到轨，整个电路工作在3 V电源电压下，静态功耗仅为0.206 mW，驱动10pF的容性负载时，增益高达100.4 dB，单位增益带宽约为4.2 MHz，相位裕度为63
高增益跨导型运算放大器设计
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运算放大器作为模拟集成电路设计的基础，同时作为DAC校准电路的一部分，本次设计一个高增益全差分跨导型运算放大器。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-12020Q63525448.jpg" style="width: 656px; height: 360px; " /></p>
SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120222105RbW.jpg" style="width: 404px; h
基于新型CCCII的电流模式积分电路
介绍了广泛应用于各种电流模式电路的第二代电流控制电流传输器原件的跨导线性环特性和端口特性，以及其基本组成共源共栅电流镜，并提出了基于共源共栅电流镜的新型COMS电流传输器。在此基础上，设计了基于电流控制电流传输器的电流模式积分电路，并利用Hspice软件进行输入为正弦波和方波时的输出波形的仿真验证。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/i
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应
<P>本文的目的在于，介绍如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应。我们仅处理理想化的气隙磁场，不考虑槽、外部周边或倾斜电抗。但我们将考察绕组磁动势（MMF）的空间谐频。</P>
<P>在图1中，给出了12槽定子的轴截面示意图。实际上，所显示的是薄钢片的形状，或用于构成磁路的层片。铁芯由薄片构成，以控制涡流电流损耗。厚度将根据工作频率而变，在60Hz的电机中（大体积电机，工业用）层片的厚度典
跨阻滤波器的快速实用设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">跨阻滤波器是将输入的电流信号转换成电压信号的同时完成信号滤波的一种新型滤波器。给出跨阻滤波器的快速实用设计。通过插入一个电压跟随器，可将常用的电压模式滤