资料2阿道法
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资料2阿道法 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 183 篇文章，持续更新中。
PCF8591模数数模转换器的应用
PCF8591数码资料
LM723CN数据手册(原文资料)
LM723CN数据手册
高精度ADC
特征： 分辨率： 24 位（无失码） 有效位数： 21位（ PGA = 128 特征： 分辨率：24位（无失码） 有效位数：21位 输出码率：10Hz/80Hz（可选） 通道固定增益：128倍 对50Hz、60Hz噪声抑制：-100dB 工作电压：2.5v – 6v 可选择的内外置晶振 简单的SPI接口 应用场合： 电子秤、数字压力传感器； 血压计等医疗仪器； 微弱信号测量及工业控制 其他相关资料
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
信号完整性研究
如果你发现，以前低速时代积累的设计经验现在似乎都不灵了，同样的设计，以前 没问题，可是现在却无法工作，那么恭喜你，你碰到了硬件设计中最核心的问题：信号完整性。早一天遇到，对你来说是好事。 这个资料，短小精悍，包含了高速数字信号设计中信号完整性方面的所有知识，对于初学者来说是一份不可多得的入门经典；
常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料
MOS管的资料
MOS管驱动电路总结
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120401152045144.jpg" />
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能
模拟信号发生频率计方法
计算方法： 1) A值（相位）的计算：根据设置的相位值D（单位为度，0度-360度可设置），由公式A=D/360，得出A值，按四舍五入的方法得出相位A的最终值； 2) B偏移量值的计算：按B=512*(1/2VPP-VDC+20)/5； 3) C峰峰值的计算：按C=VPP/20V*4095；
第2章 基本放大电路
§2.1 概述 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 静态工作点的稳定 §2.5 三种基本接法 §2.6 派生电路 §2.7 场效应管放大电路
电子电路大全(免费下载)
电子电路学习资料
模拟电子电路
华为内部培训资料
555电路频率漂移案例
555振荡电路的原理主要是通过对电容C（如下图）的充放电使其在1/3Vcc与2/3Vcc之间振荡从而引起内部触发器输出的变化产生输出频率
高频电路相关资料
高频电路
ADI处理器实用丛书-高速设计技术
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本书内容包括三大部分：第1 部分从运算放大器的基本概念和理论出发，重点介绍了运算放大器的原理与设计，以及在各种电子系统中的应用，包括视频应用、RF/IF 子系统(乘法器、调制器和混频器)等;第2 部分主要介绍了高速采样和高速ADC 及其应用、高速DAC 及其应用、以及DDS 系统与接收机子系统等;第3 部分介绍了有关高速硬件设计技术，如仿真、建模、原型、布局、去藕与接地，以及EMI 与R
基于新型CCCII电流模式二阶带通滤波器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对传统第二代电流传输器（CCII）电压跟随不理想的问题，提出了新型第二代电流传输器（CCCII）并通过采用新型第二代电流传输器（CCCII）构成二阶电
AD0809中文资料
模数转换
OP放大器应用技巧100例
该资料仅供于学习，勿用于商业
基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计
<span id="LbZY">低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管，设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放大结构形式，并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终得到LNA在该频段内增益大于32.8 dB，噪声小于1.5
MOC3083,pdf资料
芯片资料 光电耦合器MOC3083