贴片电阻电容
共 104 篇文章
贴片电阻电容 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 104 篇文章，持续更新中。
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
SM411高速贴片机简介
SM411高速贴片机简介
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能
555电路频率漂移案例
555振荡电路的原理主要是通过对电容C（如下图）的充放电使其在1/3Vcc与2/3Vcc之间振荡从而引起内部触发器输出的变化产生输出频率
高精度自动贴片机视觉对准系统及其图像处理
摘 要:阐述了高精度自动贴片机视觉对准系统的构成和原理。介绍了利用模式识别理论和图像的不变矩实现定位标志存在性判断的原理及算法和定位标志对准的原理及相关的图像处理算法,以及其中的点模式匹配算法。试验结果表明,定位标志存在性判断算法可以有效地区分不同的定位标志和判断定位标志是否在视场之内;定位标志对准算法在输入图像旋转、平移、定位标志被部分遮挡时,能精确地得到定位标志的位置偏差。<BR>关键词:贴片
基于新型CCCII电流模式二阶带通滤波器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对传统第二代电流传输器（CCII）电压跟随不理想的问题，提出了新型第二代电流传输器（CCCII）并通过采用新型第二代电流传输器（CCCII）构成二阶电
LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计
摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br />
关键词：LDo；稳定性；ESR；动态频率补偿
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
切割机简介
<p>晶圆切割机主要是负责将晶圆上所制好的晶粒切割分开，以便后续的工作。在切割之前要先利用贴片机将晶圆粒贴在晶圆框架的胶膜上。</p>
CL-639贴片胶的研制
[摘要]本文介绍了传力贴片胶研制的思路、遇到的问题和解决办法，包括粘结性能好和防潮性能好的两种环氧树脂材料的优势互补取得的效果，最后摘录了这种贴片胶在传感器试验中的良好性能，以及使用这种贴片胶的传力应变计滞后检测得到优于国标A级品的数据。<BR>[关键词]贴片胶；环氧树脂；粘结性能；防潮性能优势互补；应变计；滞后
电容器专题讲座
电容器专题讲座(一，常用电容器分类）(二，电容器的电气特性）(三，陶瓷电容器）(四，铝电解电容器）(五，固体钽电容器）
整流滤波电容的设计与选用方法研究
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路，其中滤波电容的设计选取，直接影响到纹波电压的大小，关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下，依据整流滤波
intersil公司的旁路电容的使用与选择资料
旁路电容的使用与选择，intersil公司的旁路电容的使用与选择资料。
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
基于555芯片的电容测试仪的设计
本文介绍了使用两块555芯片和一块324芯片设计一个电容测试仪的实际电路，实现了将电容容值通过数字电压表的直流档直接读出来的功能。并在文后给出了实验数据。
一种带振幅调节的晶体振荡器
<span id="LbZY">设计了一种带振幅控制的晶体振荡器，用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现，仿真和测试结果都能满足设计要求。<br />
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实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．
大学物理实验RC电路时间常数的Multisim仿真测试
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">基于探索大学物理电学实验仿真技术的目的，采用Multisim10仿真软件对RC电路时间常数参数进行了仿真实验测试。从RC电路电容充、放电时电容电压uC的表达式出发，分析了uC与时间常数之间的关系，给出了几种Multis
电容值的读取方法
常见电容值的读取方法