开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析
结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率...
结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率...
功率MOSFET的驱动电路和保护技术...
串联高频逆变电源的逆变桥一定要遵守先关断后导通的原则,即上下桥臂存在一定的死区时间。本文基于对全桥逆变换流分析的基础上,以设计最佳死区为目的,最终通过计算得出了使开关器件工作于零电压开关(ZVS)条件时的死区时间,且设计了以CD4046和SG3525为核心的控制电路,给出了谐振网络参数的计算。 ...
德州仪器功率电池管理解决方案...
凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列,這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。 ...