语义差异
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语义差异 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 5 篇文章，持续更新中。
COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下：<br />
对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，R
VMI技术研究综述
<span id="LbZY">虚拟机自省（Virtual Machine Introspection，VMI）技术充分利用虚拟机管理器的较高权限，可以实现在单独的虚拟机中部署安全工具对目标虚拟机进行监测，为进行各种安全研究工作提供了很好的解决途径，从而随着虚拟化技术的发展成为一种应用趋势。基于为更深入的理解和更好的应用VMI技术提供参考作用的目的，本文对VMI技术进行了分析研究。采用分析总结的方
集成式工业接口数字隔离器减少尺寸与成本
随着竞争产品价格的降低和产品差异化需求的增加，在工业市场上生存也变得越来越艰难。同时，安全标准不见有丝毫放宽，这要求更多的工业应用采用电流隔离，给光耦合器带来不利影响。这些不利影响会导致以下这些因素的增加：尺寸、功耗、电路板、元件数和成本。<br />
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双极运算放大器的辐射效应和退火特性
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本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6
ADC采样信息ADM1275、ADM1276、ADM1075
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ADM1275、ADM1276和ADM1075均共用同样的基本模数转换器(ADC)内核和PMBus接口。这些器件在平均计算和ADC寄存器更新方面存在一些细微差异。从ADM1275、ADM1276或ADM1075器件快速读取数据时，也需要考虑一些因素和限制。本应用笔记介绍了每种器件的ADC操作，以及如何将其数据速率提到最高(如需要)。<br />
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