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《2006-2010年中国电容器及其配套设备制造业市场研究及发展趋势预测报告》内容介绍： 第一章 电容器及其配套设备制造行业基本情况分析
2023-10-20
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CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对...
2013-11-11
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