覆铜箔

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采用溅射技术, 对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化, 获得了电阻温度系数TCR≤±10×10- 6ö℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础, 同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器

2023-12-26 5 覆铜箔

本书覆盖了当今主要的LAN和WAN技术,包括帧中继与ISDN、串行线路、X.25 、TCP/IP(EIGRP、OSPF、BGP)、Novell网络、AppleTalk网络以及IBM网络等技术。在简单介绍这些技术的原理基础上,本书着重讲解了C...

2014-08-17 164 覆铜箔